M464S3254DTS
rev. 0.0 jan. 2002
pc133/pc100 sodimm
的 samsung m464s3254dts 是 a 32m 有点 x 64 同步
动态 ram 高 密度 记忆 模块. 的 samsung
m464s3254dts 由 的 八 cmos 16m x 16 有点 与
4banks 同步 drams 入点 tsop-二 400mil 包装 和 a
2k 可擦可编程只读存储器 入点 8-管脚 tssop 包装 开启 a 144-管脚 玻璃-环氧树脂
基材. 三个 0.1uf 解耦 电容器 是 已安装 开启
的 已打印 电路 板 入点 平行 用于 每个 sdram. 的
m464s3254dts 是 a 小 大纲 双 在线 记忆 模块
和 是 预期 用于 安装 进入 144-管脚 边缘 连接器 sock-
ets.
同步 设计 允许 精确 循环 控制 与 的 使用 的
系统 时钟. 我/o 交易记录 是 可能 开启 每 时钟 循环.
范围 的 操作 频率, 可编程 延迟 允许
的 相同 设备 至 是 有用的 用于 a 品种 的 高 带宽,
高 业绩 记忆 系统 应用程序.
•业绩 范围
•突发 模式 操作
•自动 &放大器; 自我 刷新 能力 (8192 循环次数/64ms)
•lvttl 兼容 输入 和 产出
• 单独 3.3v
±
0.3v 电源 供应
•mrs 循环 与 地址 钥匙 程序
延迟 (访问权限 从 色谱柱 地址)
突发 长度 (1, 2, 4, 8 &放大器; 已满 page)
数据 scramble (顺序 &放大器; 交错)
• 全部 输入 是 抽样 在 的 正 继续 边缘 的 的
系统 时钟
• 串行 在场 检测 与 可擦可编程只读存储器
• pcb :
高度 (1,250mil)
, 双 侧面 组件
零件 否. 最大值 频率. (速度)
m464s3254dts-l7c/c7c 133MHz@CL=2
m464s3254dts-l7a/c7a 133MHz@CL=3
m464s3254dts-l1h/c1h 100mhz @ cl=2
m464s3254dts-l1l/c1l 100mhz @ cl=3
功能概述 描述
m464s3254dts sdram sodimm
32mx64 sdram sodimm 基于 开启 16mx16, 4banks, 8k 刷新,3.3v 同步 drams 与 spd
管脚 姓名
* 这些 针脚 是 不 已使用 入点 这个 模块.
**
这些 针脚 应该 是 nc 入点 的 系统
哪个 是否 不 支持 spd.
管脚 姓名 功能
a0 ~ a12 地址 输入 (多路复用)
ba0 ~ ba1 选择 银行
dq0 ~ dq63 数据 输入/输出
clk0 ~ clk1 时钟 输入
cke0 ~ cke1 时钟 启用 输入
CS0~CS1 芯片 选择 输入
ras 行 地址 频闪
cas 色谱柱 地址 频闪
我们 写 启用
dqm0 ~ 7 DQM
vdd 电源 供应 (3.3v)
vss 接地
SDA 串行 数据 我/o
scl 串行 时钟
du 唐
′
t 使用
nc 否 连接
管脚 配置 (前 侧面/背面 侧面)
管脚 前 管脚 背面 管脚 前 管脚 背面 管脚 前 管脚 背面
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
vss
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
vdd
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
vss
DQM0
DQM1
vdd
A0
A1
A2
vss
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
vdd
DQ12
DQ13
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
vss
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
vdd
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
vss
DQM4
DQM5
vdd
A3
A4
A5
vss
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
vdd
DQ44
DQ45
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
DQ14
DQ15
vss
nc
nc
CLK0
vdd
ras
我们
CS0
CS1
du
vss
nc
nc
vdd
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
vss
DQ20
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
DQ46
DQ47
vss
nc
nc
CKE0
vdd
cas
CKE1
A12
*A13
CLK1
vss
nc
nc
vdd
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
vss
DQ52
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
135
137
139
141
143
DQ21
DQ22
DQ23
vdd
A6
A8
vss
A9
a10/ap
vdd
DQM2
DQM3
vss
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
vdd
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
vss
**SDA
vdd
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
DQ53
DQ54
DQ55
vdd
A7
BA0
vss
BA1
A11
vdd
DQM6
DQM7
vss
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
vdd
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
vss
**SCL
vdd
samsung 电子产品 一氧化碳., 有限公司. 储备金 的 右侧 至 变更 产品 和 规格 无 通知.
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