半导体 组件 industries, llc, 2004
12月, 2004 − rev. 4
1
发行 顺序 号码:
1n5333b/d
1n5333b 序列
preferred 设备
5 watt surmetic
40
齐纳 电压 regulators
这个 是 一个完全 序列 的 5 watt 齐纳 二极管 和 tight 限制 和
更好的 运行 特性 那 反映 这 更好的 能力 的
silicon−oxide 钝化的 汇合处. 所有 这个 在 一个 轴的 含铅的,
transfer−molded 塑料 包装 那 提供 保护 在 所有 一般
自然环境的 情况.
特性
•
齐纳 电压 范围 − 3.3 v 至 200 v
•
静电释放 比率 的 类 3 (>16 kv) 每 人 身体 模型
•
surge 比率 的 向上 至 180 w @ 8.3 ms
•
最大 限制 有保证的 在 向上 至 六 电的 参数
•
这些 设备 是 制造的 和 一个 pb−free 外部 含铅的
完成 only*
机械的 特性
情况:
void 自由, transfer−molded, thermosetting 塑料
完成:
所有 外部 surfaces 是 corrosion resistant 和 leads 是
readily solderable
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的:
230
°
c, 1/16 在. 从 这 情况 为 10 秒
极性:
cathode 表明 用 极性 带宽
挂载 位置:
任何
最大 比率
比率 标识 值 单位
最大值 稳步的 状态 电源 消耗
@ t
L
= 75
°
c, 含铅的 长度 = 3/8 在
减额 在之上 75
°
C
P
D
5
40
W
mw/
°
C
运行 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−65 至
+200
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接 详细信息, 请
下载 这 在 半导体 焊接 和 挂载 技巧
涉及 手工的, solderrm/d.
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
1N53xxB 轴的 含铅的 1000 单位/盒
1N53xxBRL 轴的 含铅的
轴的 含铅的
情况 17
塑料
4000/录音带 &放大; 卷轴
Cathode Anode
L
1N
53xxB
YWW
L = 组装 location
1N53xxB = 设备 代号
=(看 表格 next 页)
Y = 年
WW = 工作 week
标记 图解
1N53xxBTA* 轴的 含铅的 2000/ammo 包装
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
*1n5361b 不 有 在 2000/ammo 包装
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
http://onsemi.com
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