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资料编号:565515
 
资料名称:QCA200BA60
 
文件大小: 108.16K
   
说明
 
介绍:
TRANSISTOR MODULE
 
 


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1
浏览型号QCA200BA60的Datasheet PDF文件第2页
2
 
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50 seaview blvd. 端口 washington, ny 11050-4618 ph.(516)625-1313 fax(516)625-8845 e-mail: semi@sanrex.com
QCA200BA60
晶体管 单元
hi-
ul;e76102 M
热的 阻抗
(接合面 至 情况)
最大 比率
Tj 25 除非 否则 指定
电的 特性
标识 Item 情况
比率
QCA200BA60
单位
V
CBO
集电级-根基 电压 600 V
V
CEX
集电级-发射级 电压
V
2V
600 V
发射级-根基 电压
VV
EBO
10
I
C
集电级 电流
pw 1ms 200 400
一个
I
C
反转 集电级 电流 200 一个
I
B
根基 电流 12 一个
P
T
总的 电源 消耗
T
C
25
1250 W
T
j
接合面 温度
40 至 150
Tstg 存储 温度
40 至 125
V
ISO
分开 电压 一个.c.1minute 2500
挂载
Torque
挂载
M6
终端
M6
推荐 值 2.5
-
3.9 25
-
40 4.7 48
推荐 值 2.5
-
3.9 25
-
40
4.7 48
N m
( f
B
)
Mass 典型 值 470 g
单位
一个
标识 Item 情况
比率
最小值 最大值
2.0
800
750
2.5
3.0
2.0
8.0
2.0
1.8
0.1
0.3
单位
I
CBO
集电级 截-止 电流
V
CB
V
CBO
毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流
V
EB
V
EBO
毫安
450
V
CEO SUS
V
CEX SUS
集电级 发射级 sustaning
电压
Ic 1A
600
Ic 40A I
B2
8A
V
h
FE
d.c. 电流 增益
Ic 200A V
CE
2.5v
V
CE sat
集电级-发射级 饱和 电压
Ic 200A I
B
0.26a
V
V
sat
根基-发射级 饱和 电压
Ic 200A I
B
0.26a
V
s
V
/
W
ton 在 时间
存储 时间
下降 时间
晶体管 部分
二极管 部分
ts
tf
Vcc 300V Ic 200A
I
B1
0.4a I
B2
4A
Ic 200A
V
ECO
Rth j-c
切换
时间
集电级-发射级 反转 电压
典型值
200 ns
Vcc 300v, ic 200a, di/dt 200a/ s, v
5V
trr 反转 恢复 时间
QCA200BA60
是 一个 双 darlington 电源 晶体管 单元 这个 有 序列-连接
过激
h
FE
, 高 速, 高 电源 darlington 晶体管. 各自 晶体管 有 一个
反转 paralleled 快 恢复 二极管 (
trr 200ns
). 这 挂载 根基 的 这 单元 是
用电气 分开的 从 半导体 elements 为 简单的 散热器 构建,
I
C
200a, v
CEX
600V
低 饱和 电压 为 高等级的 效率.
过激 高 直流 电流 增益 h
FE
. h
FE
750
分开的 挂载 根基
V
EBO
10V 为 faster 切换 速.
产品
发动机 控制 VVVF , 交流/直流 伺服, ups,
切换 电源 供应, 超声的 应用
SanRex
®
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