RB500V-40_集成电路资料查询网

rb500v-40
二极管
肖特基 屏障 二极管
rb500v-40
!
!!
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产品
低 电流 整流
!
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特性
1) 小 表面 挂载 类型. (umd2)
2) 低 i
R
. (i
R
=70na 典型值.)
3) 高 可靠性.
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!!
!
构建
硅 外延的 planar
!
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外部 维度
(单位 : mm)
rohm : umd2
eiaj : sc-76
电子元件工业联合会 : sod-323
2.5
±
0.2
1.7
±
0.1
1.25
±
0.1
cathode mark
−
0.1
+
0.2
0.7
+
0.1
−
0.05
0.1
0.3
±
0.05
2
2.5
±
0.2
1.7
±
0.1
1.25
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0.1
cathode mark
−
0.1
+
0.2
0.7
+
0.1
−
0.05
0.1
0.3
±
0.05
2
∗
那里 是 二 不同的 markings.
!
!!
!
绝对 最大 比率
(ta = 25
°
c)
参数
标识
限制 单位
顶峰 反转 电压
V
RM
V
直流 反转 电压
V
R
V
意思 rectifying 电流
I
O
0.1 一个
顶峰 向前 surge 电流
∗
1A
125
°
C
存储 温度
°
C
45
40
接合面 温度
I
FSM
−
40
~
+
125
Tj
Tstg
∗
60hz 为 1
!
!!
!
电的 特性
(ta = 25
°
c)
便条) 静电释放 敏感的 产品 处理 必需的.
参数
标识
最小值 典型值 最大值 单位 情况
向前 电压
V
F
−
0.45 V I
F
=
10mA
反转 电流
I
R
−
1
µ
AV
R
=
10V
电容 在 terminals
−
6.0
−
pF V
R
=
10v, f
=
1MHz
C
T
−
−

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rb500v-40 二极管肖特基屏障二极管 rb500v-40 ! !! ! 产品低电流整流 ! !! ! 特性 1) 小表面挂载类型. (umd2) 2) 低 i R . (i R =70na 典型值.) 3) 高可靠性. ! !! ! 构建硅外延的 planar ! !! ! 外部维度 (单位 : mm) rohm : umd2 eiaj : sc-76 电子元件工业联合会 : sod-323 2.5 ± 0.2 1.7 ± 0.1 1.25 ± 0.1 cathode mark − 0.1 + 0.2 0.7 + 0.1 − 0.05 0.1 0.3 ± 0.05 2 2.5 ± 0.2 1.7 ± 0.1 1.25 ± 0.1 cathode mark − 0.1 + 0.2 0.7 + 0.1 − 0.05 0.1 0.3 ± 0.05 2 ∗ 那里是二不同的 markings. ! !! ! 绝对最大比率 (ta = 25 ° c) 参数标识限制单位顶峰反转电压 V RM V 直流反转电压 V R V 意思 rectifying 电流 I O 0.1 一个顶峰向前 surge 电流 ∗ 1A 125 ° C 存储温度 ° C 45 40 接合面温度 I FSM − 40 ~ + 125 Tj Tstg ∗ 60hz 为 1 ! !! ! 电的特性 (ta = 25 ° c) 便条) 静电释放敏感的产品处理必需的. 参数标识最小值典型值最大值单位情况向前电压 V F − 0.45 V I F = 10mA 反转电流 I R − 1 µ AV R = 10V 电容在 terminals − 6.0 − pF V R = 10v, f = 1MHz C T − −

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