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资料编号:576861
 
资料名称:RF103L2S
 
文件大小: 32.38K
   
说明
 
介绍:
Fast recovery Diode
 
 


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1
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RF103L2S
二极管
1/2
快 恢复 二极管
RF103L2S
!
!!
!
产品
高 频率 整流
!
!!
!
特性
1) 小 电源 模型 类型 (pmds)
2) 过激 低 vf
3) 非常 快 恢复
4) 低 切换 丧失
!
!!
!
构建
硅 外延的 planar
!
!!
!
外部 维度
(单位 : mm)
0.1
cathode mark
4.5
±
0.2
2.6
±
0.2
2.0
±
0.2
1.2
±
0.3
1.5
±
0.2
5.0
±
0.3
+
0.02
0.1
ex. rf101l2s
6 , 6
ex. 2003,09
3 , 9
1 2
3 4
, ···type 非.
1 2
, ···manufacturing 日期
34
!
!!
!
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数
标识 限制 单位
反转 电压 (repetitive 顶峰)
V
RM
200
V
反转 电压 (直流)
V
R
200
V
平均 调整的 向前 电流
I
O
1.0
一个
I
FSM
20
一个
接合面 温度
150
°
C
存储 温度
40 至
+
150
°
C
挂载 在 glass epoxi 板
Tj
Tstg
向前 顶峰 surge 电流 (60hz 1cyc.)
!
!!
!
(ta=25
°
c)
参数 标识
最大值 单位 情况
向前 电压 V
F
0.920 V
I
F
=
1.0a
反转 电流 I
R
10
µ
一个
V
R
=
200V
反转 恢复 时间
I
F
=0.5a
I
R
=1.0a
irr=0.25
IR
trr
典型值
0.860
1.2
920nS
+
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