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RF1601T2D
二极管
rev.b 1/3
快 恢复 二极管
RF1601T2D
z
产品
z
外部 维度
(单位 : mm)
z
结构
一般 整流
rohm : Ｔo220fn
①
制造日期
1.2
1.3
0.8
(1) (2) (3)
10.0±0.3
　　　 0.1
5.0±0.2 8.0±0.2
12.0±0.2
2.8±0.2
　　　 0.1
4.5±0.3
　　　 0.1
0.7±0.1
0.05
2.6±0.5
13.5min
8.0
15.0±0.4
　 0.2
①
z
特性
1)
cathode 一般 类型.
(至-220)
2) 过激 低 v
F
3) 非常 快 恢复
4) 低 切换 丧失
z
构建
硅 外延的 planar
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
标识 单位
V
R 2
RM
V
V
R
V
Io 一个
I
FSM
一个
Tj
℃
Tstg
℃
存储 温度 -55 至 +150
(*1) 每 碎片
：
io/2
向前 电流 surge 顶峰
（
60Hz
・
1cyc
）
80
接合面 温度 150
反转 电压 (直流) 200
平均 调整的 向前 电流 (*1) 16
Parameter 限制
everse 电压 (repetitive 顶峰) 00
z
电的 典型的
(ta=25
°
c)
标识 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
- - 0.93 V
I
F
=8A
反转 电流
I
R
- - 10 µA
V
R
=200V
反转 恢复 时间
trr
- - 30 ns
I
F
=0.5a,i
R
=1a,irr=0.25*i
R
情况
orward 电压
参数
F

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RF1601T2D 二极管 rev.b 1/3 快恢复二极管 RF1601T2D z 产品 z 外部维度 (单位 : mm) z 结构一般整流 rohm : Ｔo220fn ① 制造日期 1.2 1.3 0.8 (1) (2) (3) 10.0±0.3 　　　 0.1 5.0±0.2 8.0±0.2 12.0±0.2 2.8±0.2 　　　 0.1 4.5±0.3 　　　 0.1 0.7±0.1 0.05 2.6±0.5 13.5min 8.0 15.0±0.4 　 0.2 ① z 特性 1) cathode 一般类型. (至-220) 2) 过激低 v F 3) 非常快恢复 4) 低切换丧失 z 构建硅外延的 planar z 绝对最大比率 (ta=25 ° c) 标识单位 V R 2 RM V V R V Io 一个 I FSM 一个 Tj ℃ Tstg ℃ 存储温度 -55 至 +150 (1) 每碎片： io/2 向前电流 surge 顶峰（ 60Hz ・ 1cyc ） 80 接合面温度 150 反转电压 (直流) 200 平均调整的向前电流 (1) 16 Parameter 限制 everse 电压 (repetitive 顶峰) 00 z 电的典型的 (ta=25 ° c) 标识最小值典型值最大值单位 V F - - 0.93 V I F =8A 反转电流 I R - - 10 µA V R =200V 反转恢复时间 trr - - 30 ns I F =0.5a,i R =1a,irr=0.25*i R 情况 orward 电压参数 F

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