6-248
文件 号码
2872.2
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 静电释放 处理 程序.
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|
版权
©
intersil 公司 1999
rfp2n08l, rfp2n10l
2a, 80V 和 100v, 1.050 ohm, 逻辑 水平的,
n-频道 电源 mosfets
这 RFP2N08L 和 RFP2N10L 是 n-频道 增强
模式 硅 门 电源 地方 效应 晶体管 specifically
设计 为 使用 和 逻辑 水平的 (5v) 驱动 来源 在
产品 此类 作 可编程序的 控制者, automotive
切换, 和 solenoid 驱动器. 这个 效能 是
accomplished 通过 一个 特定的 门 oxide 设计 这个
提供 全部 评估 conductance 在 门 biases 在 这 3V 至 5V
范围, 因此 facilitating 真实 在-止 电源 控制 直接地
从 逻辑 电路 供应 电压.
formerly developmental 类型 ta0924.
特性
• 2a, 80v 和 100v
•r
ds(在)
= 1.050
Ω
• 设计 优化 为 5v 门 驱动
• 能 是 驱动 直接地 从 qmos, nmos, ttl 电路
• 兼容 和 automotive 驱动 (所需的)东西
• soa 是 电源 消耗 限制
• nanosecond 切换 speeds
• 直线的 转移 特性
• 高 输入 阻抗
• majority 运输车 设备
• related literature
- tb334 “guidelines 为 焊接 表面 挂载
组件 至 pc boards”
标识
包装
电子元件工业联合会 至-220ab
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
RFP2N08L 至-220ab RFP2N08L
RFP2N10L 至-220ab RFP2N10L
便条: 当 订货, 包含 这 全部 部分 号码.
G
D
S
门
流 (flange)
源
流
数据 薄板 july 1999