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资料编号:577644
 
资料名称:RFP4N100
 
文件大小: 45.99K
   
说明
 
介绍:
4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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4-528
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow propers 静电释放 处理 程序.
http://www.intersil.com 或者 407-727-9207
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版权
©
intersil 公司 1999
rfp4n100, rf1s4n100sm
4.3a, 1000v, 3.500 ohm, 高 voltage,
n-频道 电源 mosfets
这 rfp4n100 和 rfp4n100sm 是 n-频道
增强 模式 硅 门 电源 地方 效应
晶体管. 它们 是 设计 为 使用 在 产品 此类
作 切换 regulators, 切换 转换器, 发动机
驱动器, 接转 驱动器, 和 驱动器 为 高 电源 双极
切换 晶体管 需要 高 速 和 低 门
驱动 电源. 这个 类型 能 是 运作 直接地 从 一个
整体的 电路.
formerly developmental 类型 ta09850.
特性
4.3a, 1000v
•r
ds(在)
= 3.500
uis 比率 曲线 (单独的 脉冲波)
-55
o
c 至 150
o
c 运行 温度
related literature
- tb334 “guidelines 为 焊接 表面 挂载
组件 至 pc boards”
标识
包装
电子元件工业联合会 至-220ab 电子元件工业联合会 至-263ab
订货 信息
部分 号码 包装 BRAND
RFP4N100 至-220ab RFP4N100
RF1S4N100SM 至-263ab F1S4N100
便条: 当 订货, 使用 这 全部 部分 号码.
G
D
S
流 (flange)
(flange)
数据 薄板 8月 1999 文件 号码
2457.4
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