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资料编号:577885
 
资料名称:RGF1J
 
文件大小: 89.97K
   
说明
 
介绍:
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER
 
 


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1
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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rgf1a thru rgf1m
vishay 半导体
formerly 一般 半导体
文档 号码 88697 www.vishay.com
08-二月-02 1
表面 挂载 glass 钝化的 接合面
快 切换 整流器
反转 电压
50 至 1000v
向前 电流
1.0a
Patented*
0.167 (4.24)
0.187 (4.75)
0.0065 (0.17)
0.015 (0.38)
0.030 (0.76)
0.060 (1.52)
0.196 (4.98)
0.226 (5.74)
0.094 (2.39)
0.114 (2.90)
0.100 (2.54)
0.118 (3.00)
0.040 (1.02)
0.066 (1.68)
0.098 (2.49)
0.108 (2.74)
0.006 (0.152) 典型值
做-214ba (gf1)
特性
• 塑料 包装 有 underwriters 实验室
flammability 分类 94v-0
• 完美的 为 表面 挂载 automotive 产品
• 高 温度 metallurgically 绑定 构建
• cavity-自由 glass 钝化的 接合面
有能力 的 meeting 自然环境的 standards 的 mil-s-19500
• 建造-在 strain relief • 容易 挑选 和 放置
• 快 切换 为 高 效率
• 高 温度 焊接 有保证的:
450°c/5 秒 在 terminals.
• 完全 设备 submersible 温度 的 265°c 为
10 秒 在 焊盘 bath
机械的 数据
情况:
电子元件工业联合会 做-214ba, 模塑的 塑料 在 glass 身体
terminals:
焊盘 镀有, solderable 每 mil-标准-750,
方法 2026
极性:
颜色 带宽 denotes cathode 终止
挂载 位置:
任何
重量:
0.0048 oz, 0.12 g
包装 代号/选项:
19/6.5k 每 13” 卷轴 (12mm 录音带)
17/1.5k 每 7” 卷轴 (12mm 录音带)
维度 在 英寸 和 (毫米)
glass-塑料 封装 技巧 是 covered 用 专利权
非. 3,996,602, brazed-含铅的 组装 用 专利权 非.
3,930,306 和 含铅的 forming 用 专利权 非. 5,151,846
0.094 最大值
(2.38 最大值.)
0.220
(5.58) ref
0.066 最小值
(1.68 最小值.)
0.052 最小值
(1.32 最小值.)
挂载 垫子 布局
最大 比率 &放大; 热的 特性
比率 在 25
°
c 包围的 温度 除非 否则 指定.
参数
标识 RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M 单位
设备 标记 代号 RA RB RD RG RJ RK RM
最大 repetitive 顶峰 反转 电压 V
RRM
50 100 200 400 600 800 1000 V
最大 rms 电压 V
RMS
35 70 140 280 420 560 700 V
最大 直流 blocking 电压 V
直流
50 100 200 400 600 800 1000 V
最大 平均 向前 调整的 电流 在 t
L
= 120
°
CI
f(av)
1.0 一个
顶峰 向前 surge 电流 8.3ms 单独的 half sine-波
I
FSM
30 一个
superimposed 在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
最大值 全部 加载 反转 电流, 全部 循环 平均 t
一个
= 55
°
CI
r(av)
50
µ
一个
典型 热的 阻抗
(1)
R
Θ
JA
80
°
c/w
R
Θ
JL
28
运行 接合面 和 存储 温度 范围
T
J
,t
STG
65 至 +175
°
C
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
参数
标识 RGF1A RGF1B RGF1D RGF1G RGF1J RGF1K RGF1M 单位
最大 instantaneous 向前 电压 在 1.0a V
F
1.30 V
最大 直流 反转 电流 T
一个
= 25
°
C
I
R
5.0
µ
一个
在 评估 直流 blocking 电压 T
一个
= 125
°
C 100
典型 反转 恢复 时间 在
t
rr
150 250 500 ns
I
F
= 0.5a, i
R
= 1.0a, i
rr
= 0.25 一个
典型 接合面 电容 在 4.0v, 1mhz C
J
8.5 pF
便条:
(1) 热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 和 从 接合面 至 含铅的, p.c.b. 挂载 在 0.2 x 0.2
(5.0 x 5.0mm) 铜 垫子 areas
®
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