半导体 组件 行业, llc, 2004
六月,2004 − rev. 3
1
出版物 订单 号码:
2n5550/d
2n5550, 2n5551
首选 设备
放大器 晶体管
npn 硅
特点
•
pb−free 软件包 是 available*
•
设备 标记: 设备 类型, e?.g., 2n5550, 日期 代码
最大值 额定值
评级 符号 2N5550 2N5551 单位
收集器 − 发射器 电压 v
CEO
140 160 Vdc
收集器 − 底座 电压 v
CBO
160 180 Vdc
发射器 − 底座 电压 v
EBO
6.0 Vdc
收集器 电流 − 连续 我
c
600 mAdc
合计 设备 耗散
@ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
625
5.0
mW
mw/
°
c
合计 设备 耗散
@ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
1.5
12
w
mw/
°
c
操作 和 存储 接合点
温度 范围
t
j
, t
stg
−55 至 +150
°
c
最大值额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常 操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生
和 可靠性 将 是 affected.
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻,
Junction−to−Ambient
右
ja
200
°
c/w
热 电阻,
Junction−to−Case
右
jc
83.3
°
c/w
*for 附加 信息 开启 我们的 pb−free 战略 和 焊接 详细信息, 请
下载这 开启 半导体 焊接 和 安装 techniques 参考
手册, solderrm/d.
TO−92
案例 29
风格 1
1
2
3
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启 第页 3 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
http://onsemi.com
收集器
3
2
底座
1
发射器
55xx 具体 设备 代码
y = 年份
ww = 工作 周
标记
图表
2N
55xx
YWW
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