sn54ls06, sn74ls06, sn74ls16
十六进制 反相器 缓存区/驱动器
和 打开-集电级 高-电压 输出
sdls020b – 将 1990 – 修订 january 2002
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
转变 ttl 电压 水平 至 mos 水平
D
高 下沉-电流 能力
D
输入 夹紧 二极管 使简化 系统
设计
D
打开-集电级 驱动器 为 指示信号 lamps
和 接转
D
输入 全部地 兼容 和 大多数 ttl
电路
描述
这些 十六进制 反相器 缓存区/驱动器 特性
高-电压 打开-集电级 输出 至 接口
和 高-水平的 电路 (此类 作 mos), 或者 为
驱动 高-电流 负载, 和 也 是 character-
ized 为 使用 作 反相器 缓存区 为 驱动 ttl
输入. 这 ’ls06 设备 有 一个 评估 输出
电压 的 30 v, 和 这 sn74ls16 有 一个 评估
输出 电压 的 15 v. 这 最大 下沉 电流
为 这 sn54ls06 是 30 毫安, 和 为 这
sn74ls06 和 sn74ls16 是 40 毫安.
这些 设备 是 兼容 和 大多数 ttl
families. 输入 是 二极管-clamped 至 降低
传递 影响, 这个 使简化 设计.
典型 电源 消耗 是 175 mw 和 平均
传播 延迟 时间 是 8 ns.
订货 信息
T
一个
包装
†
可订购
部分 号码
顶-一侧
标记
SOIC D
Tube SN74LS06D
LS06SOIC–D
录音带 和 卷轴 SN74LS06DR
LS06
0
°
c 至 70
°
C
sop – ns 录音带 和 卷轴 SN74LS06NSR 74LS06
ssop – db 录音带 和 卷轴 SN74LS06DBR LS06
pdip – n Tube SN74LS06N SN74LS06N
CDIP – J
Tube SN54LS06J SN54LS06J
–55
°
c 至 125
°
C
CDIP–J
Tube SNJ54LS06J SNJ54LS06J
lccc – fk Tube SNJ54LS06FK SNJ54LS06FK
†
包装 绘画, 标准 包装 数量, 热的 数据, 符号化, 和 pcb
设计 指导原则 是 有 在 www.德州仪器.com/sc/包装.
The sn74ls16 是 废弃的
和 是 非 变长 有提供的.
版权
2002, 德州 器械 组成公司的
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
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sn54ls06 . . . j 包装
sn74ls06, sn74ls16 . . . d, n, 或者 ns 包装
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地
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nc – 非 内部的 连接
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sn54ls06 . . . fk 包装
(顶 视图)
CC
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
在 产品 一致的 至 mil-prf-38535, 所有 参数 是 测试
除非 否则 指出. 在 所有 其它 产品, 生产
处理 做 不 必然地 包含 测试 的 所有 参数.
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