半导体 组件 industries, llc, 2004
将, 2004 − rev. 6
1
发行 顺序 号码:
bas70−04lt1/d
BAS70−04LT1
preferred 设备
双 序列
肖特基 屏障 二极管
这些 肖特基 屏障 二极管 是 设计 为 高 速 切换
产品, 电路 保护, 和 电压 夹紧. 极其 低
向前 电压 减少 传导 丧失. 小型的 表面 挂载
包装 是 极好的 为 hand 使保持 和 可携带的 产品 在哪里
空间 是 限制.
特性
•
极其 快 切换 速
•
低 向前 电压
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
(t
J
= 150
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
反转 电压 V
R
70 伏特
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
向前 电源 消耗
@ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
F
225
1.8
mW
mw/
°
C
运行 接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−55 至 +150
°
C
70 伏特
肖特基 屏障 二极管
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
BAS70−04LT1 SOT−23 3000 / 录音带 &放大; 卷轴
SOT−23
(to−236ab)
情况 318
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
ANODE
1
CATHODE
2
3
cathode/anode
1
2
3
cg m
标记 图解
CG = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
http://onsemi.com
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
BAS70−04LT1G SOT−23
(pb−free)
3000 / 录音带 &放大; 卷轴