高 电压 晶体管: (pnp)
特点
模具 尺寸
0.44*0.44mm
电源 耗散
p
厘米
: 225mw
（
Tamb=25
℃）
收集器 电流
我
厘米
: 0.5a
收集器-底座 电压
v
(br)cbo
: 40V
电气 特性
（
（（
（
Tamb=25
℃
℃℃
℃
除非 否则 指定
）
））
）
参数 符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器-底座 击穿 电压
v(br)
CBO
集成电路= 100µa , 我
e?
=0 30 v
集电极-发射极 击穿 电压
v(br)
CEO
集成电路= 1 ma
，
我
B
=0
21 v
发射器-底座 击穿 电压
v(br)
EBO
我
e?
= 100µa
，
我
c
=0
5.0 v
收集器 截止 电流
我
CBO
v
cb
= 30v , 我
e?
=0 1.0 µA
发射器 截止 电流
我
EBO
v
eb
= 5v
，
我
c
=0
100 不适用
h
铁
（
1
）
v
ce
= 1v, 我
c
= 150ma 120 400
直流 电流 增益(备注)
h
铁
（
2
）
v
ce
= 1v, 我
c
= 500ma 40
集电极-发射极 饱和度 电压
v
ce?
(s在)我
c
= 500ma,我
B
=50 ma500
m
v
基极-发射极 饱和度 电压
v
是
(sat) 我
c
= 500ma, 我
B
= 50 ma 1.2 v
基极-发射极 电压
v
是(开启)
我
c
= 10ma, v
ce
=1V 1.0 v
分类 的 h
铁(1)
等级
B9C B9D B9E
范围
120-200 160-300 280-400
SOT
—
——
—
23
1. 底座
2. 发射器
3. 收集器
机翼 shing 计算机 组件 一氧化碳., (h.k.)有限公司. 电话:(852)2341 9276 传真:(852)27978153
homepage: http://www.wingshing.com e?-邮件: wsccltd@hkstar.com
S8550LT1
pnp 外延 硅 晶体管
: 点此下载
