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资料编号:607665
 
资料名称:SI2301ADS
 
文件大小: 39.9K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2301ADS
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71835
s-20617—rev. b, 29-apr-02
www.vishay.com
1
p-频道 2.5-v (g-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
b
0.130 @ v
GS
= –4.5 v –2.0
–20
0.190 @ v
GS
= –2.5 v –1.6
G
至-236
(sot-23)
S
D
顶 视图
2
3
1
si2301ds (1a)*
*marking 代号
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 秒 稳步的 状态 单位
DS
–20
门-源 电压 V
GS
8
V
T
一个
= 25
C –2.0 –1.75
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
b
T
一个
= 70
C
I
D
–1.6 –1.4
搏动 流 电流
一个
I
DM
–10
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
b
I
S
–0.75 –0.6
T
一个
= 25
C 0.9 0.7
电源 消耗
b
T
一个
= 70
C
P
D
0.57 0.45
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面-至-包围的
b
115 140
最大 接合面-至-包围的
c
R
thJA
140 175
c/w
注释
一个. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
b. 表面 挂载 在 fr4 板, t
5 秒.
c. 表面 挂载 在 fr4 板.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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