Si2303DS
vishay siliconix
文档 号码: 70770
s-49557—rev. b, 27-apr-98
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2-1
p-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
–30
0.240 @ v
GS
= –10 v –1.7
–30
0.460 @ v
GS
= –4.5 v –1.3
G
至-236
(sot-23)
S
D
顶 视图
2
3
1
si2303ds (a3)*
*marking 代号
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
–30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
(表面 挂载 在 FR4 板 t
5 秒)
T
一个
= 25
C
I
D
–1.7
一个
(
J
)
(表面 挂载 在 fr4 板, t
5 秒)
T
一个
= 70
C
I
D
–1.4
一个
搏动 流 电流
一个
I
DM
–10
一个
持续的 源 电流 (场效应晶体管 二极管 传导)
(表面 挂载 在 fr4 板, t
5 秒)
I
S
–1.25
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
1.25
wmaximum 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
0.8
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C
参数 标识 典型 单位
最大 接合面-至-包围的 (表面 挂载 在 fr4 板, t
5 秒)
R
thJA
100
c/w
最大 接合面-至-包围的 (表面 挂载 在 fr4 板)
R
thJA
166
c/w
注释
一个. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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