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资料编号:607710
 
资料名称:SI2302ADS
 
文件大小: 56.69K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2302ADS
Vishay Siliconix
文档 号码: 71831
s-41772—rev. d, 20-sep-04
www.vishay.com
1
n-频道 1.25-w, 2.5-v 场效应晶体管
产品 SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
20
0.060 @ V
GS
=4.5 V 2.4
20
0.115 @ V
GS
=2.5 V 2.0
G
S
D
p View
2
3
至-236
(sot-23)
1
Si2302DS (2a)*
*Marking 代号
订货 信息: si2302ads-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
=25
_
C 除非 否则 指出)
参数 标识 5 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
20
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 电流 (t 150
_
c)
一个
T
一个
=25
_
C
I
2.4 2.1
持续的 电流 (t
J
= 150
_
c)
一个
T
一个
=70
_
C
I
D
1.9 1.7
一个
搏动 电流
一个
I
DM
10
一个
持续的 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
0.94 0.6
电源 消耗
一个
T
一个
=25
_
C
P
0.9 0.7
W电源 消耗
一个
T
一个
=70
_
C
P
D
0.57 0.46
W
运行 接合面 存储 温度 范围 T
J
,t
stg
--55 150
_
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
最大 接合面 包围的
一个
t
±
5sec.
R
115 140
_
c/w最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
140 175
_
c/w
注释
一个. 表面 挂载 FR4 板.
额外的刺激 模型 信息 通过 Worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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