特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管: 1.8-v 评估
过激 低 在-阻抗
产品
加载 转变
pa 转变
Si3447BDV
vishay siliconix
文档号码: 72020
s-40424—rev.b, 15-三月-04
www.vishay.com
1
p-频道 12-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.040 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
6.0
−
12
0.053 @ v
GS
=
−
2.5 v
−
5.2
0.072 @ v
GS
=
−
1.8 v
−
4.5
(4) s
(3) g
(1, 2, 5, 6) d
p-频道 场效应晶体管
tsop-6
顶 视图
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
订货 信息: si3447bdv-t1
si3447bdv-t1—e3 (含铅的 自由)
标记 代号: B7xxx
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
−
12
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
−
6.0
−
4.5
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
−
4.3
−
3.3
一个
搏动 流 电流 I
DM
−
20
一个
持续的 二极管 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
−
1.7
−
0.9
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.0 1.1
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
1.0 0.6
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
5 秒
R
50 62.5
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
90 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
30 36
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.