Si5513DC
vishay siliconix
文档 号码: 71186
s-42138—rev. f, 15-十一月-04
www.vishay.com
1
Complementary20-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个) Q
g
(典型值)
N 频道 20
0.075 @ v
GS
= 4.5 v 4.2
4n-频道 20
0.134 @ v
GS
= 2.5 v 3.1
4
P 频道 20
0.155 @ v
GS
=
−
4.5 v
−
2.9
3p-频道
−
20
0.260 @ v
GS
=
−
2.5 v
−
2.2
3
bottom 视图
1206-8 chipfet
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
1
标记 代号
EB XX
lot traceability
和 日期 代号
部分 # 代号
订货 信息:
si5513dc-t1
si5513dc-t1—e3 (含铅的 (铅)-自由)
S
2
G
2
D
2
p-频道 场效应晶体管n-频道 场效应晶体管
G
1
D
1
S
1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
n-频道 p-频道
参数 标识
5 secs 稳步的 状态 5 secs 稳步的 状态
单位
流-源 电压 V
DS
20
−
20
V
门-源 电压 V
GS
12
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
4.2 3.1
−
2.9
−
2.1
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
3.0 2.2
−
2.1
−
1.5
一个
搏动 流 电流 I
DM
10
−
10
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.8 0.9
−
1.8
−
0.9
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.1 1.1 2.1 1.1
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
1.1 0.6 1.1 0.6
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
焊接 recommendations (顶峰温度)
b,
c
260
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
5 秒
R
50 60
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
90 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
30 40
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
b. 看 可靠性 手工的 为 profile. 这 chipfet 是 一个 无铅 包装. 这 终止 的 这 含铅的 终端 是 exposed 铜 (不镀有) 作 一个 结果 的 这 singulation
处理 在 制造. 一个 焊盘 fillet 在 这 exposed 铜 tip 不能 是 有保证的 和 是 不 必需的 至 确保 足够的 bottom 一侧 焊盘 intercon-
nection.
c. rework 情况: 手工的 焊接 和 一个 焊接 iron 是 不 推荐 为 无铅 组件.
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