Si5504DC
vishay siliconix
文档 号码: 71056
s-21251—rev. b, 05-8月-02
www.vishay.com
2-1
Complementary30-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.085 @ v
GS
= 10 v
3.9
n-频道 30
0.143 @ v
GS
= 4.5 v
3.0
0.165 @ v
GS
= -10 v
2.8
p-频道 -30
0.290 @ v
GS
= -4.5 v
2.1
bottom 视图
D
1
G
1
S
1
n-频道 场效应晶体管
S
2
G
2
D
2
p-频道 场效应晶体管
1206-8 chipfe
T
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
1
标记 代号
EA XX
lot traceability
和 日期 代号
部分 # 代号
订货 信息:
si5504dc-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
n-频道 p-频道
参数 标识
5 secs 稳步的 状态 5 secs 稳步的 状态
单位
流-源 电压 V
DS
30 -30
门-源 电压 V
GS
20
V
T
一个
= 25
C
3.9
2.9
2.8
2.1
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
2.8
2.1
2.0
1.5
搏动 流 电流 I
DM
10
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
1.8 0.9 -1.8 -0.9
T
一个
= 25
C 2.1 1.1 2.1 1.1
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
1.1 0.6 1.1 0.6
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
焊接 recommendations (顶峰 温度)
b,
c
260
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
t
5 秒 50 60
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
90 110
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
30 40
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
b. 看 可靠性 手工的 为 profile. 这 chipfet/powerpak 是 一个 无铅 包装. 这 终止 的 这 含铅的 终端 是 exposed cop每 (不 镀有) 作 一个 结果 的 这
singulation 处理 在 制造. 一个 焊盘 fillet 在 这 exposed 铜 tip 不能 是 有保证的 和 是 不 必需的 至 确保 足够的 bottom 一侧 焊盘
interconnection.
c. rework 情况: 手工的 焊接 和 一个 焊接 iron 是 不 推荐 为 无铅 组件.
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