特性
TrenchFET
电源 mosfets: 1.8-v 评估
新 powerpak
包装
- 低 热的 阻抗, r
thJC
- 低 1.07-mm profile
产品
加载 转变
电源 转变
pa 转变
Si7405DN
vishay siliconix
文档号码: 71424
s-31989—rev. b, 13-oct-03
www.vishay.com
1
p-频道 12-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.016 @ v
GS
=-4.5 v
-13
-12
0.022 @ v
GS
=-2.5 v -11
0.028 @ v
GS
=-1.8 v -9.8
p-频道 场效应晶体管
DD
G
S
DD
S S
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
3.30 mm
3.30 mm
PowerPAK
1212-8
bottom 视图
订货 信息: si7405dn-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
-12
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 流 电流
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
-13
-8.3
Continuous dra在Current
(t
J
=150
c)
一个
T
一个
= 85
C
I
D
-9.4 -6.0
一个
搏动 流 电流 I
DM
-30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
-3.2 -1.3
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.8 1.5
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 85
C
P
D
2.0 0.8
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
26 33
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
65 81
c/w
最大 接合面-至-情况 稳步的 状态 R
thJC
1.9 2.4
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.