特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
新 低 热的 阻抗 powerpak
包装 和 低 1.07-mm profile
低 门 承担
100% r
g
测试
产品
同步的 整流器
Si7892DP
vishay siliconix
文档号码: 71773
s-31727—rev.b, 18-8月-03
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
30
0.0045 @ v
GS
= 10 v 25
30
0.006 @ v
GS
= 4.5 v 22
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
6.15 mm
5.15 mm
powerpak 所以-8
bottom 视图
n-频道 场效应晶体管
G
D
S
订货 信息: si7892dp-t1
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 voltage V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
25 15
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
20 12
一个
搏动 流 电流 (10
s 脉冲波 宽度)
I
DM
60
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
4.5 1.6
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
5.4 1.9
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
3.4 1.2
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
18 23
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
50 65
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
1.0 1.5
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.