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资料编号:608223
 
资料名称:SI7404DN
 
文件大小: 43.56K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET
 
 


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1
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
TrenchFET
电源 场效应晶体管
新 低 热的 阻抗 powerpak
包装 和 低 1.07-mm profile

lilon 电池 保护
Si7404DN
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71658
s-05681—rev. c, 07-二月-02
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 快 切换 场效应晶体管

V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.013 @ v
GS
= 10 v 13.3
30
0.015 @ v
GS
= 4.5 v 12.4
0.022 @ v
GS
= 2.5 v 10.2
1
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
G
D
D
D
D
3.30 mm
3.30 mm
PowerPAK
1212-8
bottom 视图
n-频道 场效应晶体管
G
D
S



参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
门-源 电压 V
GS
12
V
T
一个
= 25
C 13.3 8.5
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
10.6 6.8
搏动 流 电流 I
DM
40
一个
15
单独的 一个valanche 活力 (职责 循环 1%)
0.1 mh
E
11 mJ
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
3.2 1.3 一个
T
一个
= 25
C 3.8 1.5
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
2.0 0.8
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
C

参数 标识 典型 最大 单位
t
10 秒 26 33
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
65 81
c/w
最大 接合面-至-情况 (流) 稳步的 状态 R
thJC
1.9 2.4
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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