© 用 semikron 0898 b 1 – 31
V
RSM
V
RRM
(dv/dt)
cr
I
TRMS
(最大 值 为 持续的 运作)
V
DRM
40 一个
I
TAV
(sin. 180; t
情况
= 60 °c)
vvv/
µ
s25 一个
700
900
1300
1500
1700
600
800
1200
1400
1600
500
500
1000
1000
1000
skkt 19/06 d
skkt 19/08 d
skkt 19/12 e
skkt 19/14 e
skkt 19/16 e
skkt 20/06 d
skkt 20/08 d
skkt 20/12 e
skkt 20/14 e
skkt 20/16 e
–
skkt 20b08 d
skkt 20b12 e
skkt 20b14 e
skkt 20b16 e
标识 情况
skkt 19
skkt 20
skkt 20b
单位
I
TAV
I
D
I
RMS
sin. 180; T
情况
= 60 °c
T
情况
= 85 °c
b2/b6 T
amb
= 45 °c; p 3/180
T
amb
= 35 °c; p 3/180 f
w1/w3 T
amb
= 45 °c; p 3/180
25
18
31 / 38
46 / 60
42 / 3 x 30
一个
一个
一个
一个
一个
I
TSM
i
2
t
T
vj
= 25 °c; 10 ms
T
vj
= 125 °c; 10 ms
T
vj
= 25 °c; 8,3 ... 10 ms
T
vj
= 125 °c; 8,3 ... 10 ms
320
280
510
390
一个
一个
一个
2
s
一个
2
s
t
gd
t
gr
T
vj
= 25 °c; I
G
= 1 一个
di
G
/dt = 1 一个/
µ
s
V
D
= 0,67
.
V
DRM
1
1
µ
s
µ
s
(di/dt)
cr
t
q
I
H
I
L
T
vj
= 125 °c
T
vj
= 125 °c
T
vj
= 25 °c; 典型值./最大值.
T
vj
= 25 °c; r
G
= 33
Ω
; 典型值./最大值.
150
典型值 80
100 / 200
250 / 400
一个/
µ
s
µ
s
毫安
毫安
V
T
V
t(至)
r
T
I
DD
; i
RD
T
vj
= 25 °c; i
T
= 75 一个
T
vj
= 125 °c
T
vj
= 125 °c
T
vj
= 125 °c; V
RD
=
V
RRM
V
DD
= v
DRM
最大值 2,3
1,0
16
最大值 10
V
V
m
Ω
毫安
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
T
vj
= 25 °c; d.c.
T
vj
= 25 °c; d.c.
T
vj
= 125 °c; d.c.
T
vj
= 125 °c; d.c.
3
150
0,25
5
V
毫安
V
毫安
R
thjc
R
thch
T
vj
T
stg
内容.
sin. 180 每 thyristor /
rec. 120 每 单元
1,2 / 0,6
1,3 / 0,65
1,35 / 0,68
0,2 / 0,1
– 40 ... + 125
– 40 ... + 125
°c/w
°c/w
°c/w
°c/w
°C
°C
V
isol
M
1
M
2
一个
w
一个. c. 50 hz; r.m.s; 1 s/1 最小值
至 散热器
至 terminals
approx.
3600 / 3000
5 (44 lb. 在.) +
15 %
1)
3 (26 lb. 在.) + 15 %
5
.
9,81
95
V~
Nm
Nm
m/s
2
g
情况
→
页 b 1 – 95 skkt 19: 一个 5
skkt 20: 一个 46
skkt 20b: 一个 48
SEMIPACK
®
1
thyristor modules
skkt 19
skkt 20
skkt 20b
特性
•
热温 转移 通过 aluminium
oxide 陶瓷的 分开的 metal
baseplate
•
hard 焊接 joints 为 高
可靠性
•
ul 公认的, 文件 非. e 63 532
典型 产品
•
直流 发动机 控制 (e.g. 为
机器 tools)
•
交流 发动机 软 starters
•
温度 控制 (e.g. 为
ovens, 化学的 处理)
•
专业的 明亮的 调光
(studios, theaters)
skkt 19 skkt 20
skkt 20b
si (美国) 单位
1)
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