SEMITRANS
TM
3
过激 快 IGBT Modules
SKM 200GB125D
SKM 200GAL125D
SKM 200GAR125D
特性
! " # $%
&放大;$' &放大; $ '
(
)*+ ,
)-. ,
典型 产品
/ -. 01
2 # *.. 01
#
3
/ -. 01
GB GAL GAR
绝对 最大 比率
(
4 -5 6$
标识 情况 值 单位
IGBT
7
$3
*-.. 7
$
(
4 -5 )9., 6$ -.. )*., %
$2:
4 * +.. %
7
;3
< -. 7
(
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)(
, (
>?32%( >
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一个 b. CCC D *5. )*-5, 6$
7
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Inverse 二极管
!
(
4 -5 )9., 6$ -.. )*+., %
!2:
4 * +.. %
!:
4 *. E CE (
=
4 *5. 6$ *b5. %
Freewheeling 二极管
!
(
4 -5 )9., 6$ -.. )*+., %
!2:
4 * +.. %
!:
4 *. E E (
=
4 *5. 6$ *b5. %
特性
(
4 -5 6$
标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
IGBT
7
;3),
7
;3
4 7
$3
$
4 % B5 55 5 7
$3
7
;3
4 . 7
$3
4 7
$3
(
=
4 -5 )*-5, 6$ .*5 .b5 %
7
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(
=
4 -5 )*-5, 6$ *5 *F5 7
$3
7
;3
4 *5 7 (
=
4 -5 )*-5, 6$ *- *B G
7
$3),
$
4 *5. % 7
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4 *5 7 # ++ +95 7
$
*. *+ !
$
7
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4 . 7
$3
4 -5 7 4 * :1 *5 - !
$
.9 *- !
$3
-.
2
$$HD33H
C A (
4 -5 )*-5, 6$ .+5 ).5, G
),
7
$$
4 .. 7
$
4 *5. % F5
2
;
4 2
;
4 B G (
=
4 *-5 6$ +
),
7
;3
4 < *5 7 b-.
-5
3
)3
, *B )9, I
Inverse 二极管
7
!
4 7
3$
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6$
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(
=
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(
(
=
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22:
!
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=
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J
K 4 55.. %KL -b L$
3
7
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4 . 7 + I
FWD
7
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4 7
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3
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热的 特性
2
)=a,
;'( ..m NKO
2
)=a,&放大;
# &放大; .-5 NKO
2
)=a,!&放大;
!o&放大; .-5 NKO
2
)a,
..+9 NKO
机械的 数据
:
0 : + 5
:
: -5 5
+-5
SKM 200GB125D
1 14-09-2005 RAA © 用 SEMIKRON