SKW30N60HS
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电源 半导体
1 rev. 2 8月-02
高 速 igbt 在 npt-技术
•
30% 更小的
E
止
对照的 至 previous 一代
•
短的 电路 承受 时间 – 10
µ
s
•
设计 为 运作 在之上 30 khz
•
npt-技术 为 600v 产品 提供:
- 并行的 切换 能力
- moderate e
止
增加 和 温度
- 非常 tight 参数 分发
•
高 强壮, 温度 稳固的 behaviour
•
完全 产品 spectrum 和 pspice 模型 :
http://www.infineon.com/igbt/
类型
V
CE
I
C
E
止)
T
j
包装 订货 代号
SKW30N60HS 600V 30 480µJ
150
°
C
至-247ac q67040-s4503
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CE
600 V
直流 集电级 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
C
41
30
搏动 集电级 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Cpuls
112
转变 止 safe 运行 范围
V
CE
≤
600v,
T
j
≤
150
°
C
-
112
二极管 向前 电流
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
I
F
41
28
二极管 搏动 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
Fpuls
112
一个
门-发射级 电压 静态的
瞬时 (
t
p
<1µs,
D
<0.05)
V
GE
±
20
±
30
V
短的 电路 承受 时间
1)
V
GE
= 15v,
V
CC
≤
600v,
T
j
≤
150
°
C
t
SC
10
µ
s
电源 消耗
T
C
= 25
°
C
P
tot
250 W
运行 接合面 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-55...+150
时间 限制 运行 接合面 温度 为
t
< 150h
T
j(tl)
175
焊接 温度, 1.6mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s - 260
°
C
1)
允许 号码 的 短的 电路: <1000; 时间 在 短的 电路: >1s.
p-至-247-3-1
(至-247ac)
G
C
E