STG719
低 电压 4
Ω
SPDT 转变
六月 2000
■
高 速:
t
PD
= 0.3 ns (典型值.) 在 V
CC
=5V
t
PD
= 0.4 ns (典型值.) 在 V
CC
= 3.0v
■
低 电源 消耗:
I
CC
=1
µ
一个 (最大值.) 在 T
一个
=85
o
C
■
低 ”ON” 阻抗:
R
在
=4
Ω
(最大值. T
一个
=25
o
c) 在 V
CC
=5V
R
在
=6
Ω
(典型值.)在 V
CC
= 3.0v
■
宽 运行 电压 范围:
V
CC
(opr) = 1.8v 至 5.5v 单独的 供应
描述
这 STG719 是 一个 高 速 SPDT CMOS
转变 frabricated 在 硅 门 C
2
MOS
技术. 它 是 设计 至 运作 从 1.8v 至
5.5v, 制造 这个 设备 完美的 为 可携带的
产品. 它 提供 4
Ω
在-阻抗 最大值 在
5V 25
o
c. 额外的 关键 特性 是 快
切换 速 (t
在
=7ns, t
止
=4.5ns) 和 低
电源 消耗量 (<0.01
µ
W 典型值.). 静电释放
免除 是 高等级的 比 1000V 每 方法
3015.7 的 mil-标准-883b. It’s avalable 在 这
商业的 温度 范围.
管脚 连接 和 IEC 逻辑 SYMBOLS
sot23-6l
顺序 代号
包装 TUBE T &放大; R
sot23-6l STG719FTR
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