2004-03-30rev. 2.1
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spp11n60s5, spb11n60s5
SPI11N60S5
cool mos™
电源 晶体管
V
DS
600 V
R
ds(在)
0.38
Ω
I
D
11 一个
特性
•
新 revolutionary 高 电压 技术
•
过激 低 门 承担
•
periodic avalanche 评估
•
extreme d
v
/d
t
评估
•
过激 低 有效的 capacitances
•
改进 跨导
p-to262 p-to220-3-1p-to263-3-2
2
p-to220-3-1
2
3
1
类型 包装 订货 代号
SPP11N60S5 p-to220-3-1 q67040-s4198
SPB11N60S5 p-to263-3-2 q67040-s4199
SPI11N60S5 p-to262 q67040-s4338
标记
11N60S5
11N60S5
11N60S5
最大 比率
参数
标识 值 单位
持续的 流 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 100 °c
I
D
11
7
一个
搏动 流 电流,
t
p
限制 用
T
jmax
I
d puls
22
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
= 5.5 一个,
V
DD
= 50 v
E
作
340 mJ
avalanche 活力, repetitive
t
AR
限制 用
T
jmax
1)
I
D
= 11 一个,
V
DD
= 50 v
E
AR
0.6
avalanche 电流, repetitive
t
AR
限制 用
T
jmax
I
AR
11 一个
门 源 电压
V
GS
±20
V
门 源 电压 交流 (f >1hz)
V
GS
±
30
电源 消耗,
T
C
= 25°c
P
tot
125 W
运行 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
-55... +150
°C
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