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资料编号:620333
 
资料名称:SPD07N20
 
文件大小: 120.09K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 1 05.99
SIPMOS
电源 晶体管
产品 summary
流 源 电压
200
V
DS
V
流-源 在-状态 阻抗
0.4
R
ds(在)
I
D
持续的 流 电流 7 一个
特性
n 频道
增强 模式
avalanche 评估
d
v
/d
t
评估
管脚 1 管脚 2 管脚 3
G D S
PackagingType 包装 订货 代号
SPD07N20 录音带 和 reelp-to252 q67040-s4120-a2
SPU07N20 tubeq67040-s4112-a2p-to251
最大 比率
, 在
T
j
= 25 ˚c, 除非 否则 指定
参数
标识 UnitValue
持续的 流 电流
T
C
= 25 ˚c
T
C
= 100 ˚c
7
4.5
I
D
一个
搏动 流 电流
T
C
= 25 ˚c
I
Dpulse
28
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
= 7 一个,
V
DD
= 50 v,
R
GS
= 25
mJ
E
120
avalanche 活力, periodic 限制 用
T
jmax
4
E
AR
反转 二极管 d
v
/d
t
I
S
= 7 一个,
V
DS
= 160 v, d
i
/d
t
= 200 一个/µs,
T
jmax
= 175 ˚c
d
v
/d
t
6 kv/µs
门 源 电压
V
GS
±
20
V
电源 消耗
T
C
= 25 ˚c
P
tot
40 W
运行 和 存储 温度
T
j
,
T
stg
˚c-55... +175
55/150/56iec climatic 类别; din iec 68-1
初步的 数据
spd 07n20
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