ss12-s100
ss12-s100, rev. a1
ss12 - s100
1.0 ampere 肖特基 屏障 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
**
设备 挂载 在 fr-4 pcb 0.013 mm.
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
2001 仙童 半导体 公司
特性
•
glass 钝化的 汇合处.
•
高 电流 能力, 低 v
F
.
•
为 使用 在 低 电压, 高
频率 反相器 自由
转动, 和 极性
保护 产品.
sma/做-214ac
颜色 带宽 denotes cathode
标识
参数
值
单位
I
f(av)
平均 调整的 电流
.375 " 含铅的 长度 @ t
一个
= 75
°
C
1.0 一个
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
8.3 ms 单独的 half-sine-波
superimposed 在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法)
40
一个
P
D
总的 设备 消耗
减额 在之上 25
°
C
1.1
11
W
mw/
°
C
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 ** 88
°
c/w
T
stg
存储 温度 范围 -65 至 +150
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -65 至 +125
°
C
标识
参数
设备
单位
12 13 14 15 16 18 19 100
V
RRM
最大 repetitive 反转 电压 20 30 40 50 60 80 90 100 V
V
RMS
最大 rms 电压 14 21 28 35 42 56 64 71 V
V
R
直流 反转 电压 (评估 v
R
)
20 30 40 50 60 80 90 100 V
I
RM
最大 instantaneous 反转 电流
T
一个
= 25
°
C
(便条 1)
@ 评估 v
R
T
一个
= 100
°
C
0.2
10
毫安
毫安
V
FM
最大 instantaneous 向前 电压 @ 1.0 一个 500 700 850 mV
便条:
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%
: 点此下载
