STA508A_集成电路资料查询网

012 534 6
■
I
D
—
V
DS
特性
0
12
I
D
(一个)
V
DS
(v)
8
4
16
0
8
6
4
2
10
0 1.0 2.0 3.0 4.0
■
I
D
—
V
GS
特性
I
D
(一个)
V
GS
(v)
024 8610
■
R
DS
(在)
—
I
D
特性
0
0.10
0.05
R
DS
(在)
(
Ω
)
I
D
(一个)
0.30
0.25
0.20
0.15
–50 0 50 100 150
■
R
DS
(在)
—
T
C
特性
0
0.10
0.30
0.20
0.40
R
DS
(在)
(
Ω
)
Tc
(ºc)
0.45
01020304050
■
电容
—
V
DS
特性
10
50
100
500
电容
(pf)
V
DS
(v)
1000
1 5 10 50 100 200
■
S
afe 运行 范围 (单独的 脉冲波)
0.5
0.1
10
1
5
I
D
(一个)
V
DS
(v)
20
(ta
= 25ºc)
0.05 0.1 0.5 1 5 10
■
R
e (yfs)
—
I
D
特性
0.1
0.5
1
5
10
50
R
e
(yfs)
(s)
I
D
(一个)
V
GS
=
4.5v
V
GS
=
10V
V
GS
=
4V
I
D
=
4A
V
GS
=
10V
V
GS
=
0V
f
=
1MHz
Coss
Ciss
Crss
V
DS
=
10V
00.40.2 0.6 0.8 1.21.0
■
I
DR
—
V
SD
特性
0
5
4
3
2
1
I
DR
(一个)
V
SD
(v)
6
V
GS
=
4V
V
GS
=
10V
T
一个
= –
55ºC
25ºC
75ºC
150ºC
100ms
10m
s
1ms
100
µ
s
I
D
(
脉冲波
)
最大值
I
D
(
直流
)
最大值
R
DS
(在)
限制
T
一个
= –
55ºC
25ºC
75ºC
150ºC
T
一个
=
150ºC
75ºC
25ºC
–55ºC
V
GS
=
0V
标识 比率 单位
(ta=25ºc) (ta=25ºc)
V
DSS
120
标识 测试 情况
比率
单位
V
(br) dss
I
D
=
100
µ
一个,  v
GS
=
0V
120
最小值 典型值 最大值
I
GSS
µ
一个
µ
一个
V
GS
=
±
20V
±
5
I
DSS
S
V
V
DS
=
120v,  v
GS
=
0V
100
V
TH
V
DS
=
10v,  i
D
=
250
µ
一个 2.01.0
R
e
(
yfs
)
V
DS
=
10v,  i
D
=
4.0a
V
GS
=
10v,  i
D
=
4.0a
5.0
R
DS
(在
)
Ω
Ω
V
ns
ns
ns
ns
V
V
GS
=
4v,    i
D
=
4.0a
Coss
Ciss
V
DS
=
10V
f
=
1.0mhz
V
GS
=
0V
Crss
t
d
(
在)
I
D
=
4A
V
DD
12V
R
L
=
3
Ω
V
GS
=
5V
R
G
=
50
Ω
t
r
t
d
(
止)
t
f
V
SD
I
SD
=
6a,  v
GS
=
0V
0.15
0.2
0.2
0.25
pF
pF
pF
400
130
30
100
300
250
200
1.0 1.5
V
GSS
V
V
±
20
±
6
±
10
I
D
一个
I
d (脉冲波)
*
1
一个
4 (ta
=
25ºc)
20 (tc
=
25ºc)
P
T
E
作
*
2
T
ch
W
W
150
80
Tstg
ºC
ºC
mJ
–55 至 +150
*
1  p
W
100
µ
s,  职责     1%
*
2  v
DD
=
12v,  l
=
10mh,  unclamped,  r
G
=
50
Ω
电的 特性
绝对 最大 比率
2
1
3
4
5
6
7
8
9
10
mos 场效应晶体管排列    sta508a
79
相等的 电路 图解
一个) 类型 非.
b) lot 非.
(单位: mm)
9 •2.54=22.86
±
0.05
一个
b
(2.54)
25.25
±
0.2
9.0
±
0.2
2.3
±
0.2
11.3
±
0.2
3.5
±
0.5
0.5
±
0.15
0
±
0.3
1.0
±
0.25
c1.5
±
0.5
4.0
±
0.2
0.5
±
0.15
1.2
±
0.2
1324
SGDG
567 10
DGD S
89
GD
0
±
0.3
外部 维度
sta4 (lf412)

标　题:
内　容:
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012 534 6 ■ I D — V DS 特性 0 12 I D (一个) V DS (v) 8 4 16 0 8 6 4 2 10 0 1.0 2.0 3.0 4.0 ■ I D — V GS 特性 I D (一个) V GS (v) 024 8610 ■ R DS (在) — I D 特性 0 0.10 0.05 R DS (在) ( Ω ) I D (一个) 0.30 0.25 0.20 0.15 –50 0 50 100 150 ■ R DS (在) — T C 特性 0 0.10 0.30 0.20 0.40 R DS (在) ( Ω ) Tc (ºc) 0.45 01020304050 ■ 电容 — V DS 特性 10 50 100 500 电容 (pf) V DS (v) 1000 1 5 10 50 100 200 ■ S afe 运行范围 (单独的脉冲波) 0.5 0.1 10 1 5 I D (一个) V DS (v) 20 (ta = 25ºc) 0.05 0.1 0.5 1 5 10 ■ R e (yfs) — I D 特性 0.1 0.5 1 5 10 50 R e (yfs) (s) I D (一个) V GS = 4.5v V GS = 10V V GS = 4V I D = 4A V GS = 10V V GS = 0V f = 1MHz Coss Ciss Crss V DS = 10V 00.40.2 0.6 0.8 1.21.0 ■ I DR — V SD 特性 0 5 4 3 2 1 I DR (一个) V SD (v) 6 V GS = 4V V GS = 10V T 一个 = – 55ºC 25ºC 75ºC 150ºC 100ms 10m s 1ms 100 µ s I D ( 脉冲波 ) 最大值 I D ( 直流 ) 最大值 R DS (在) 限制 T 一个 = – 55ºC 25ºC 75ºC 150ºC T 一个 = 150ºC 75ºC 25ºC –55ºC V GS = 0V 标识比率单位 (ta=25ºc) (ta=25ºc) V DSS 120 标识测试情况比率单位 V (br) dss I D = 100 µ 一个, v GS = 0V 120 最小值典型值最大值 I GSS µ 一个 µ 一个 V GS = ± 20V ± 5 I DSS S V V DS = 120v, v GS = 0V 100 V TH V DS = 10v, i D = 250 µ 一个 2.01.0 R e ( yfs ) V DS = 10v, i D = 4.0a V GS = 10v, i D = 4.0a 5.0 R DS (在 ) Ω Ω V ns ns ns ns V V GS = 4v, i D = 4.0a Coss Ciss V DS = 10V f = 1.0mhz V GS = 0V Crss t d ( 在) I D = 4A V DD 12V R L = 3 Ω V GS = 5V R G = 50 Ω t r t d ( 止) t f V SD I SD = 6a, v GS = 0V 0.15 0.2 0.2 0.25 pF pF pF 400 130 30 100 300 250 200 1.0 1.5 V GSS V V ± 20 ± 6 ± 10 I D 一个 I d (脉冲波) * 1 一个 4 (ta = 25ºc) 20 (tc = 25ºc) P T E 作 * 2 T ch W W 150 80 Tstg ºC ºC mJ –55 至 +150 * 1 p W 100 µ s, 职责 1% * 2 v DD = 12v, l = 10mh, unclamped, r G = 50 Ω 电的特性绝对最大比率 2 1 3 4 5 6 7 8 9 10 mos 场效应晶体管排列 sta508a 79 相等的电路图解一个) 类型非. b) lot 非. (单位: mm) 9 •2.54=22.86 ± 0.05 一个 b (2.54) 25.25 ± 0.2 9.0 ± 0.2 2.3 ± 0.2 11.3 ± 0.2 3.5 ± 0.5 0.5 ± 0.15 0 ± 0.3 1.0 ± 0.25 c1.5 ± 0.5 4.0 ± 0.2 0.5 ± 0.15 1.2 ± 0.2 1324 SGDG 567 10 DGD S 89 GD 0 ± 0.3 外部维度 sta4 (lf412)

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