024 101268 14
■
I
D
—
V
DS
特性
0
5
4
I
D
(一个)
V
DS
(v)
3
2
1
6
0.01
1
0.1
20
10
0123456
■
I
D
—
V
GS
特性
I
D
(一个)
V
GS
(v)
0123 645
■
R
DS
(在)
—
I
D
特性
0
0.2
R
DS
(在)
(
Ω
)
I
D
(一个)
0.8
0.6
0.4
–50 0 50 100 150
■
R
DS
(在)
—
T
C
特性
0
0.1
0.3
0.2
0.4
R
DS
(在)
(
Ω
)
tc (ºc)
0.5
0.5 1 5 10 50
■
safe 运行 范围 (单独的 脉冲波)
0.5
0.1
1
5
I
D
(一个)
V
DS
(v)
10
(tc
= 25ºc)
0.05 0.1 0.5 1 6
■
R
e (yfs)
—
I
D
特性
0.2
0.5
1
5
10
R
e
(yfs)
(s)
I
D
(一个)
V
GS
=
3V
V
GS
=
4V
V
GS
=
5V
V
GS
=
10V
V
GS
=
4V
典型值
I
D
=
1A
V
GS
=
10V
典型值
V
DS
=
10V
V
DS
=
10V
V
GS
=
4V
00.40.2 0.6 0.8 1.41.21.0
■
I
DR
—
V
SD
特性
0
8
6
4
2
I
DR
(一个)
V
SD
(v)
10
T
一个
= –
55ºC
25ºC
75ºC
150ºC
10ms
1ms
100
µ
s
I
D
(脉冲波)
最大值
R
DS
(在)
限制
T
一个
= –
55ºC
25ºC
150ºC
T
一个
=
150ºC
75ºC
25ºC
–55ºC
25ºC
T
一个
=
150ºC
75ºC
–55ºC
标识 比率 单位
(ta=25ºc) (ta=25ºc)
V
DSS
52
±
5
标识 测试 情况
比率
单位
V
(br) dss
I
D
=
1ma, v
GS
=
0V
47 52 57
最小值 典型值 最大值
I
GSS
µ
一个
µ
一个
V
GS
=
±
20V
±
1.0
I
DSS
S
V
V
DS
=
40v, v
GS
=
0V
100
V
TH
V
DS
=
10v, i
D
=
250
µ
a2.51.0
R
e
(yfs)
V
DS
=
10v, i
D
=
1.0a
V
GS
=
10v, i
D
=
1.0a
1.0
R
DS
(在)
Ω
Ω
V
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
V
V
GS
=
4v, i
D
=
1.0a
Coss
Ciss
V
DS
=
10V
f
=
1.0mhz
V
GS
=
0V
Crss
t
d
(
在
)
I
D
=
1A
V
DD
12V
R
L
=
12
Ω
V
GS
=
5V
R
G1
=
50
Ω
, r
G2
=
10
Ω
t
r
t
d
(
止
)
t
f
V
SD
I
SD
=
6a, v
GS
=
0V
0.2
0.25
0.25
0.3
pF
pF
pF
200
120
20
2.0
7.4
3.3
4.2
1.0 1.5
V
GSS
V
V
±
20
±
3
±
6
I
D
一个
I
d (脉冲波)
*
1
一个
4 (ta
=
25ºc)
20 (tc
=
25ºc)
P
T
E
作
*
2
T
ch
W
W
150
40
Tstg
ºC
ºC
mJ
–55 至 +150
*
1 p
W
100
µ
s, 职责 1%
*
2 v
DD
=
12v, l
=
10mh, unclamped, r
G
=
10
Ω
电的 特性
绝对 最大 比率
2
1
3
4
5
6
7
8
9
10
mos 场效应晶体管 排列 sta509a
80
相等的 电路 图解
外部 维度
STA
一个) 类型 非.
b) lot 非.
(单位: mm)
9•2.54=22.86
±
0.05
一个
b
(2.54)
25.25
±
0.2
9.0
±
0.2
2.3
±
0.2
11.3
±
0.2
3.5
±
0.5
0.5
±
0.15
0
±
0.3
1.0
±
0.25
c1.5
±
0.5
4.0
±
0.2
0.5
±
0.15
1.2
±
0.2
1324
SGDG
567 10
DGD S
89
GD
0
±
0.3
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