特性
TrenchFET
电源 mosfets
175
c 接合面 温度
产品
Automotive
- 发动机 驱动
- 12-v switches
sup40n10-30
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72135
s-31730—rev.b, 18-8月-03
www.vishay.com
1
n-频道 100-v (d-s) 175
c 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
(br)dss
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
100
0.030 @ v
GS
= 10 v 40
100
0.034 @ v
GS
= 6 v 37.5
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
至-220ab
顶 视图
GDS
订货 信息: sup40n10-30
绝对 最大 比率 (t
C
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
100
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
T
C
= 25
C
I
D
40
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
T
C
= 125
C
I
D
23
一个
搏动 流 电流 I
DM
75
一个
avalanche 电流 I
AR
35
repetitive 一个valanche 活力
一个
l = 0.1 mh E
AR
61 mJ
最大 电源 消耗
一个
T
C
= 25
C
P
D
107
b
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
c
P
D
3.75
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 175
C
热的阻抗比率
参数 标识 限制 单位
JtitAbit
pcb 挂载
c
R
40
接合面-至-包围的
自由 空气
R
thJA
62.5
c/w
接合面-至-情况 (流) R
thJC
1.4
c/w
注释
一个. 职责 循环
1%.
b. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
c. 当 挂载 在 1” 正方形的 pcb (fr-4 材料).