sup/sub85n03-07p
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71147
s-00757—rev. b, 10-apr-00
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n-频道 30-v (d-s) 175
c 场效应晶体管
V
(br)dss
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
一个
30
0.007 @ v
GS
= 10 v 85
一个
30
0.01 @ v
GS
= 4.5 v 75
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
至-220ab
顶 视图
GDS
流 连接 至 tab
至-263
SDG
顶 视图
sup85n03-07p
sub85n03-07p
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
30
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
T
C
= 25
C
I
D
85
一个
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 175 c)
T
C
= 100
C
I
D
64
一个
搏动 流 电流 I
DM
240
一个
avalanche 电流 I
AR
75
repetitive avalanche 活力
b
l = 0.1 mh E
AR
280 mJ
最大 电源 消耗
b
T
C
= 25
c (至-220ab 和 至-263)
P
D
107
c
wmaximum 电源 消耗
b
T
一个
= 25
c (至-263)
d
P
D
3.75
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
参数 标识 限制 单位
接合面-至-包围的
pcb 挂载 (至-263)
d
R
thJA
40
c/w
接合面-至-包围的
自由 空气 (至-220ab)
R
thJA
62.5
c/w
接合面-至-情况 R
thJC
1.4
注释
一个. 包装 限制.
b. 职责 循环
1%.
c. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
d. 当 挂载 在 1” 正方形的 pcb (fr-4 材料).