sup/sub75n03-04
vishay siliconix
文档 号码: 70745
s-04137—rev. e, 18-六月-01
www.vishay.com
2-1
n-频道 30-v (d-s), 175
c 场效应晶体管
V
(br)dss
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
30 0.004 75
一个
至-220ab
顶 视图
sup75n03-04
GD S
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
流 连接 至 tab
至-263
SG
顶 视图
流 连接 至 tab
D
sub75n03-04
参数 标识 限制 单位
门-源 电压 V
GS
20 V
持续的 流 电流
T
C
= 25
C 75
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
T
C
= 125
C
I
D
75
一个
搏动 流 电流 I
DM
250
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导) I
S
75
avalanche 电流 I
AR
75
avalanche 活力 l = 0.1 mh E
作
280
repetitive avalanche 活力
b
l = 0.05 mh E
AR
140
mJ
T
C
= 25
c (至-220ab 和 至-263) 187
c
最大 电源 消耗
T
一个
= 25
c (至-263)
d
P
D
3.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
含铅的 温度
(
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.)
至-220ab T
L
300
C
参数 标识 限制 单位
pcb 挂载 (至-263)
d
40
接合面-至-包围的
自由 空气 (至-220ab)
R
thJA
62.5
c/w
接合面-至-情况 R
thJC
0.6
c/w
注释
一个. 包装 限制.
b. 职责 循环
1%.
c. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
d. 当 挂载 在 1” 正方形的 pcb (fr-4 材料).
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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