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资料编号:627903
 
资料名称:SUP60N06-18
 
文件大小: 72.47K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
 
 


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sup/sub60n06-18
vishay siliconix
文档 号码: 70290
s–57253—rev. d, 24-二月-98
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n-频道 60-v (d-s), 175
c 场效应晶体管
 
V
(br)dss
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
60 0.018 60
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
sup60n06-18
sub60n06-18
流-源 电压 V
DS
60
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=175
c)
T
C
= 25
C
I
D
60
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
T
C
= 100
C
I
D
39
一个
搏动 流 电流 I
DM
120
一个
avalanche 电流 I
AR
60
repetitive avalanche 活力
一个
l = 0.1 mh E
AR
180 mJ
电源 消耗
T
C
= 25
c (至-220ab 和 至-263)
P
D
120
b
wpower 消耗
T
一个
= 25
c (至-263)
c
P
D
3.7
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
  
参数 标识 限制 单位
接合面 包围的
pcb 挂载 (至-263)
c
R
hJA
40
c/w
接合面-至-包围的
一个. 职责 循环
1%.
b. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
c. 当 挂载 在 1” 正方形的 pcb (fr-4 材料).
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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