sup/sub75n06-12l
vishay siliconix
文档 号码: 70807
s-59182—rev. b, 07-sep-98
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2-1
n-频道 60-v (d-s), 175
c 场效应晶体管
V
(br)dss
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
60
0.012 @ v
GS
= 10 v 75
60
0.014 @ v
GS
= 4.5 v 70
D
G
S
n-频道 场效应晶体管
至-220ab
顶 视图
GDS
sup75n06-12l
sub75n06-12l
至-263
SG
顶 视图
流 连接 至 tab
D
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
60
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
=175
c)
T
C
= 25
C
I
D
75
一个
持续的 流 电流
(t
J
= 175
c)
T
C
= 100
C
I
D
53
一个
搏动 流 电流 I
DM
180
一个
avalanche 电流 I
AR
60
repetitive avalanche 活力
一个
l = 0.1 mh E
AR
180 mJ
电源 消耗
T
C
= 25
c (至-220ab 和 至-263) P
D
142
b
wpower 消耗
T
一个
= 25
c (至-263)
c
P
D
3.75
c
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
参数 标识 限制 单位
接合面-至-包围的
pcb 挂载 (至-263)
c
R
thJA
40
c/w
接合面-至-包围的
自由 空气 (至-220ab)
R
thJA
62.5
c/w
接合面-至-情况 R
thJC
1.05
注释:
一个. 职责 循环
1%.
b. 看 soa 曲线 为 电压 减额.
c. 当 挂载 在 1” 正方形的 pcb (fr-4 材料).
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