tc0640h thru tc3500h
特性
oxide glass 钝化的 接合面
双向的 保护 在 一个 单独的 设备
surge 能力 向上 至 100a @ 10/1000us 或者 400 @
8/20us
高 止 状态 阻抗 和 低 在 状态 电压
塑料 材料 有 ul flammability 分类
94v-0
机械的 数据
情况 : 模塑的 塑料
极性 : denotes 毫无 cathode 带宽
重量 : 0.093 grams
表面 挂载
thyristor surge protective 设备
VDRM -
58 至 320
伏特
IPP -
100
Amperes
最大 比率
最大 评估 surge 波形
波形
热的 阻抗
℃
/w
单位
标识
%/
℃
接合面 至 leads
特性
典型 积极的 温度 系数 为 brekdown 电压
Rth
(j-l)
△
V
BR
/
△
T
J
0.1
值
20
100
接合面 至 包围的 在 打印 电路 (在 推荐 垫子 布局)
Rth
(j-一个)
℃
/w
2/10 美国
8/20 美国
10/160 美国
10/700 美国
10/560 美国
10/1000 美国
标准
gr-1089-核心
iec 61000-4-5
fcc 部分 68
itu-t k20/21
fcc 部分 68
gr-1089-核心
I
PP
(一个)
500
400
250
200
160
100
I
PP
, 顶峰 脉冲波 电流 (%)
100
50
0
tr tp
时间
half 值
顶峰 值 (ipp)
tr= 上升 时间 至 顶峰 值
tp= decay 时间 至 half 值
半导体
lite-在
bi-directional
单位
标识
℃
非-repetitive 顶峰 impulse 电流 @ 10/1000us
特性
存储 温度 范围
I
PP
I
TSM
T
STG
一个
一个
-55 至 +150
值
100
50
非-repetitive 顶峰 在-状态 电流 @ 8.3ms (一个 half cycle)
接合面 温度 范围
T
J
-40 至 +150
℃
rev. 0, 03-dec-2001, kswc02
SMC
所有 维度 在 millimeter
SMC
维度 最小值 最大值
一个
C
D
E
F
G
H
B
6.60 7.11
6.225.59
2.92
3.18
0.310.15
7.75 8.13
0.05 0.20
2.01 2.62
0.76 1.52
C
H
E
F
G
D
B
一个
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