3 volt 先进的 激励 块 flash
记忆
28f004/400b3, 28f008/800b3, 28f016/160b3, 28f320b3, 28f640b3
初步的数据手册
产品 特性
这 3 volt 先进的 激励 块 flash 记忆, 制造的 在 intel’s 最新的 0.18
µ
m
技术, 代表 一个 特性-rich 解决方案 在 整体的 更小的 系统 费用. 这 3 volt 先进的
激励 块 flash 记忆 产品 在 x16 将 是 有 在 48-含铅的 tsop 和 48-球 csp
包装. 这 x8 选项 的 这个 产品 家族 将 仅有的 是 有 在 40-含铅的 tsop 和 48-
球 µbga* 包装. 额外的 信息 在 这个 产品 家族 能 是 得到 用
accessing intel’s 网站 在: http://www.intel.com/设计/flash.
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有伸缩性的 smartvoltage 技术
—2.7 v–3.6 v 读/程序/擦掉
—12 v v
PP
快 生产 程序编制
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2.7 v 或者 1.65 v i/o 选项
—减少 整体的 系统 电源
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高 效能
—2.7 v–3.6 v: 70 ns 最大值 进入 时间
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优化 块 sizes
—第八 8-kb blocks 为 数据,顶 或者
bottom locations
—向上 至 一个 hundred twenty-七 64-
kb blocks 为 代号
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块 locking
—V
CC
-水平的 控制 通过 wp#
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低 电源 消耗量
—9 毫安 典型 读 电流
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绝对 硬件-保护
—V
PP
= 地 选项
—V
CC
lockout 电压
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扩展 温度 运作
—–40 °c 至 +85 °c
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automated 程序 和 块 擦掉
—status 寄存器
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Intel
®
flash 数据 积分器 软件
—flash 记忆 manager
—系统 中断 manager
—支持 参数 存储, streaming
数据 (e.g., voice)
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扩展 cycling 能力
—最小 100,000 块 擦掉 循环
有保证的
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自动 电源 savings 特性
—典型 i
CCS
之后 总线 inactivity
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标准 表面 挂载 包装
—48-球 csp 包装
—40- 和 48-含铅的 tsop 包装
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密度 和 footprint upgradeable 为
一般 包装
—4-, 8-, 16-, 32- 和 64-mbit densities
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etox™ vii (0.18
µ)
flash 技术
—28f160/320/640b3xc
—4-, 8-, 16-, 和 32-mbit 也 exist 在
etox™ v (0.4
µ)
和/或者 etox ™ vi
(0.25
µ)
flash 技术
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x8 不 推荐 为 新 设计
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4-mbit 密度 不 推荐 为 新
设计
顺序 号码: 290580-012
october 2000
注意:
这个 文档 包含 初步的 信息 在 新 产品 在 生产. 这
规格 是 主题 至 改变 没有 注意. 核实 和 your local intel 销售 办公室 那
你 有 这 最新的 数据手册 在之前 finalizing 一个 设计.
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