E
初步的
将1997 顺序 号码: 290580-002
n
有伸缩性的 smartvoltage 技术
2.7v
–3.6v 程序/擦掉
2.7v–3.6v 读 运作
12v v
PP
快 生产
程序编制
n
2.7v 或者 1.8v i/o 选项
减少 整体的 系统 电源
n
优化 块 sizes
第八 4-kw blocks 为 数据,
顶 或者 bottom locations
向上 至 thirty-一个 32-kw blocks 为
代号
n
高 效能
2.7v–3.6v: 120 ns 最大值 进入 时间
n
块 locking
V
CC
-水平的 控制 通过 wp#
n
低 电源 消耗量
20 毫安 最大 读 电流
n
绝对 硬件-保护
V
PP
= 地 选项
V
CC
lockout 电压
n
扩展 温度 运作
–40°c 至 +85°c
n
支持 代号 加 数据 存储
优化 为 fdi, flash 数据
积分器 软件
快 程序 suspend 能力
快 擦掉 suspend 能力
n
扩展 cycling 能力
10,000 块 擦掉 循环
n
automated 文字 程序 和 块
擦掉
command 用户 接口
状态 寄存器
n
sram-兼容 写 接口
n
自动 电源 savings 特性
n
重置/深的 电源-向下
1 µa i
CC
典型
spurious 写 lockout
n
标准 表面 挂载 包装
48-球
µ
bga* 包装
48-含铅的 tsop 包装
n
footprint upgradeable
upgradeable 从 2-, 4- 和 8-mbit
激励 块
n
etox™ v (0.4
µ)
flash 技术
这 新 smart 3 先进的 激励 块, 制造的 在 intel’s 最新的 0.4µ 技术, 代表 一个 feature-
rich 解决方案 在 整体的 更小的 系统 费用. smart 3 flash 记忆 设备 包含 低 voltage 能力
(2.7v 读, 程序 和 擦掉) 和 高-速, low-power operation. 一些 新 特性 有 被
增加, 包含 这 能力 至 驱动 这 i/o 在 1.8v, 这个 significantly 减少系统 起作用的 电源 和
接口 至 1.8v 控制者. 一个 新 blocking scheme 使能 代号 和 数据 存储 在里面 一个 单独的 设备.
增加 至 这个 这 intel-开发 flash 数据 积分器 (fdi) 软件 和 你 有 这 大多数 费用-有效的,
大而单一的 代号 加 数据 存储 解决方案 在 这 market today. smart 3 先进的 激励 块 文字-宽
产品 将 是 有 在 48-含铅的 tsop 和 48-球 µbga* 包装. 额外的 信息 在 这个
产品 家族 能 是 得到 用 accessing intel’s www 页: http://www.intel.com/设计/flcomp.
smart 3 先进的 激励 块
文字-宽
4-mbit (256k x 16), 8-mbit (512k x 16),
16-mbit (1024k x 16)
flash 记忆 家族
28f400b3, 28f800b3, 28f160b3
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