TPC8203
2002-05-17
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 n 频道 mos 类型 (u
−
mosii)
TPC8203
lithium ion 电池 产品
可携带的 设备 产品
notebook pcs
小 footprint 预定的 至 小 和 薄的 包装
低 流
−
源 在 阻抗 : r
DS
(在)
=
1
4 m
Ω
(典型值.)
高 向前 转移 admittance : |y
fs
| = 8 s (典型值.)
低 泄漏 电流 : i
DSS
=
1
0 µa (最大值) (v
DS
= 30 v)
增强
−
模式 : v
th
= 0.8~2.5 v (v
DS
=
1
0 v, i
D
=
1
毫安)
最大 比率
(ta = 25°c)
特性 标识 比率 单位
流
−
源 电压 V
DSS
30 v
流
−
门 电压 (r
GS
= 20 k
Ω
)
V
DGR
30 v
门
−
源 电压 V
GSS
±20 v
d c (便条 1) I
D
6
流 电流
脉冲波 (便条 1) I
DP
24
一个
单独的-设备
运作 (便条 3a)
P
d (1)
1.5
流 电源
消耗
(t = 10 s)
(便条 2a)
单独的-devece 值
在 双 运作
(便条 3b)
P
d (2)
1.0
W
单独的-设备
运作 (便条 3a)
P
d (1)
0.75
流 电源
消耗
(t = 10 s)
(便条 2b)
单独的-devece 值
在 双 运作
(便条 3b)
P
d 2)
0.45
W
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(便条 4)
E
作
46.8 mj
avalanche 电流
I
AR
6 一个
repetitive avalanche 活力
(便条 2a, 便条 3b, 便条 5)
E
AR
0.10 mj
频道 温度 T
ch
150
存储 温度 范围 T
stg
−
55 150
便条: 为 (便条 1), (便条 2a), (note 2b), (note 3a), (note 3b), (note 4)
和 (便条 5), 请 谈及 至 这 next 页.
这个 晶体管 是 一个 静电的 敏感的 设备. 请 handle 和
提醒.
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-6j1e
重量: 0.080 g (典型值.)
电路 配置
: 点此下载
