TPIC6B595
电源 逻辑 8-位 变换 寄存器
slis032 – july 1995
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
低 r
ds(在)
...5
Ω
典型
D
avalanche 活力 ...30 mj
D
第八 电源 dmos-晶体管 输出 的
150-毫安 持续的 电流
D
500-毫安 典型 电流-限制的 能力
D
输出 clamp 电压 . . . 50 v
D
设备 是 cascadable
D
低 电源 消耗量
描述
这 tpic6b595 是 一个 大而单一的, 高-电压,
中等-电流 电源 8-位 变换 寄存器
设计 为 使用 在 系统 那 需要 相当地
高 加载 电源. 这 设备 包含 一个 建造-在
电压 clamp 在 这 输出 为 inductive
瞬时 保护. 电源 驱动器 产品
包含 接转, solenoids, 和 其它 中等-
电流 或者 高-电压 负载.
这个 设备 包含 一个 8-位 串行-在, 并行的-输出
变换 寄存器 那 feeds 一个 8-位 d-类型 存储
寄存器. 数据 transfers 通过 两个都 这 变换 和
存储 寄存器 在 这 rising 边缘 的 这
变换-寄存器 时钟 (srck) 和 这 寄存器 时钟
(rck), 各自. 这 存储 寄存器
transfers 数据 至 这 输出 缓存区 当 变换-
寄存器 clear (srclr
) 是 高. 当 srclr是
低, 这 输入 变换 寄存器 是 cleared. 当 输出
使能 (g) 是 使保持 高, 所有 数据 在 这 输出
缓存区 是 使保持 低 和 所有 流 输出 是 止.
当 g
是 使保持 低, 数据 从 这 存储 寄存器
是 transparent 至 这 输出 缓存区. 当 数据 在
这 输出 缓存区 是 低, 这 dmos-晶体管
输出 是 止. 当 数据 是 高, 这 dmos-
晶体管 输出 有 下沉-电流 能力.
这 串行 输出 (ser 输出) 准许 为 cascading
的 这 数据 从 这 变换 寄存器 至 额外的
设备.
输出 是 低-一侧, 打开-流 dmos 晶体管 和 输出 比率 的 50 v 和 150-毫安 持续的 下沉-
电流 能力. 各自 输出 提供 一个 500-毫安 典型 电流 限制 在 t
C
= 25
°
c. 这 电流 限制 减少
作 这 接合面 温度 增加 为 额外的 设备 保护.
这 tpic6b595 是 典型 为 运作 在 这 运行 情况 温度 范围 的 –40
°
c 至 125
°
c.
版权
1995, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
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NC
V
CC
ser 在
DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
SRCLR
G
地
NC
地
ser 输出
DRAIN7
DRAIN6
DRAIN5
DRAIN4
SRCK
RCK
地
dw 或者 n 包装
(顶 视图)
逻辑 标识
†
2
SRG8
†
这个 标识 是 在 一致 和 ansi/ieee 标准 91-1984
和 iec 发行 617-12.
9
12
8
13
3
EN3
C2
R
C1
1D
G
RCK
SRCLR
SRCK
ser 在
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DRAIN0
DRAIN1
DRAIN2
DRAIN3
DRAIN4
DRAIN5
DRAIN6
DRAIN7
ser 输出
2
nc – 非 内部的 连接
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