1
晶体管 与 内置 电阻
un1231/1231a
硅 npn 外延 planer 晶体管
用于 放大 的 这 低 频率
■
特点
●
高 前进 电流 转让 比率 h
铁
.
●
m 类型 模具 包装.
●
费用 可以 是 减少 通过 downsizing 的 这 设备 和
减少 的 这 号码 的 零件.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
1:底座
2:收集器
3:发射器
m 类型 模具 包装
单位: mm
内部 连接
参数 符号 额定值 单位
UN1231
v
CBO
20
v
UN1231A 60
UN1231
v
CEO
20
v
UN1231A 50
收集器 电流 我
c
0.7 一个
峰值 收集器 电流 我
cp
1.5 一个
合计 电源 耗散 p
t
* 1.0 w
接合点 温度 t
j
150 ˚C
存储 温度 t
stg
–55 至 +150 ˚C
6.9
±
0.1
0.55
±
0.1 0.45
±
0.05
1.0
±
0.1
1.0
2.5
±
0.1
1.0
1.5
1.5 r0.9
r0.9
r0.7
0.4
0.85
3.5
±
0.1
2.0
±
0.2
2.4
±
0.21.25
±
0.05
4.1
±
0.2 4.5
±
0.1
2.5 2.5
123
B
c
R1
(
1k
Ω
)
R2
(
47k
Ω
)
e?
收集器 至
底座 电压
收集器 至
发射器 电压
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流
我
CBO
v
cb
= 15v, 我
e?
= 0 1
µ
一个
我
CEO
v
ce
= 15v, 我
B
= 0 10
µ
一个
发射器 截止 电流 我
EBO
v
eb
= 14v, 我
c
= 0 0.5 ma
收集器 至 底座 电压
UN1231
v
CBO
我
c
= 10
µ
一个, 我
e?
= 0
20
v
UN1231A
60
收集器 至 发射器 电压
UN1231
v
CEO
我
c
= 1ma, 我
B
= 0
20
v
UN1231A
50
前进 电流 转让 比率 h
铁
v
ce
= 10v, 我
c
= 150ma* 800 2100
收集器 至 发射器 饱和度 电压 v
ce(sat)
我
c
= 100ma, 我
B
= 5ma* 0.4 v
输入 电阻 右
1
0.7 1 1.3 k
Ω
电阻 比率 右
1
/右
2
0.021
* 已打印 电路 板: 铜 箔 面积 的 1cm
2
或 更多 和 厚度 的
1.7mm 用于 这 收集器 部分.
*pulse 测量
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