晶体管 与 内置 电阻
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出版物 日期: october 2003 SJH00001BED
unr111x 系列
(un111x 系列)
硅 pnp 外延 平面 晶体管
用于 数字 电路
■
特点
•
费用 可以 是 减少 通过 downsizing 的 这 设备 和
减少 的 这 号码 的 零件
•
m 类型 包装 允许 容易 自动 和 手册 插入 作为
井 作为 单机 固定 至 这 已打印 电路 板.
■
电阻 由 零件 号码
(右
1
)(右
2
)
•
UNR1110 (un1110) 47 k
Ω
•
UNR1111 (un1111) 10 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR1112 (un1112) 22 k
Ω
22 k
Ω
•
UNR1113 (un1113) 47 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR1114 (un1114) 10 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR1115 (un1115) 10 k
Ω
•
UNR1116 (un1116) 4.7 k
Ω
•
UNR1117 (un1117) 22 k
Ω
•
UNR1118 (un1118) 0.51 k
Ω
5.1 k
Ω
•
UNR1119 (un1119) 1 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR111D (un111d) 47 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR111E (un111e) 47 k
Ω
22 k
Ω
•
UNR111F (un111f) 4.7 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR111H (un111h) 2.2 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR111L (un111l) 4.7 k
Ω
4.7 k
Ω
■
绝对 最大值 额定值
t
一个
=
25
°
c
B
右
1
右
2
c
e?
内部 连接
单位: mm
1: 底座
2: 收集器
3: 发射器
m-a1 包装
备注) 这 零件 编号 入点 这 括号 显示 常规 零件 号码.
6.9
±
0.1
2.5
±
0.1
(1.0)
(1.0)
(1.5)
(0.85)
0.45
±
0.05
0.55
±
0.1
(2.5)(2.5)
213
右 0.7
右 0.9
(0.4)
3.5
±
0.1
4.5
±
0.1
4.1
±
0.2
2.4
±
0.2
1.25
±
0.05
2.0
±
0.2
1.0
±
0.1
(1.5)
参数 符号 评级 单位
收集器-底座 电压 (发射器 打开) v
CBO
−
50 v
集电极-发射极 电压 (底座 打开) v
CEO
−
50 v
收集器 电流 我
c
−
100 ma
合计 电源 耗散
p
t
400 mW
接合点 温度 t
j
150
°
c
存储 温度 t
stg
−
55 至
+
150
°
c
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