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晶体管 和 建造-在 电阻
un2111/2112/2113/2114/2115/2116/2117/2118/2119/2110/
211d/211e/211f/211h/211l/211m/211n/211t/211v/211z
硅 pnp 外延的 planer 晶体管
为 数字的 电路
■
特性
●
costs 能 是 减少 通过 downsizing 的 这 设备 和
减少 的 这 号码 的 部分.
●
迷你 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备 和
自动 嵌入 通过 录音带 包装 和 magazine 包装.
■
阻抗 用 部分 号码
标记 标识 (r
1
)(r
2
)
●
UN2111 6A 10k
Ω
10k
Ω
●
UN2112 6B 22k
Ω
22k
Ω
●
UN2113 6C 47k
Ω
47k
Ω
●
UN2114 6D 10k
Ω
47k
Ω
●
UN2115 6E 10k
Ω
—
●
UN2116 6F 4.7k
Ω
—
●
UN2117 6H 22k
Ω
—
●
UN2118 6I 0.51k
Ω
5.1k
Ω
●
UN2119 6K 1k
Ω
10k
Ω
●
UN2110 6L 47k
Ω
—
●
UN211D 6M 47k
Ω
10k
Ω
●
UN211E 6N 47k
Ω
22k
Ω
●
UN211F 6O 4.7k
Ω
10k
Ω
●
UN211H 6P 2.2k
Ω
10k
Ω
●
UN211L 6Q 4.7k
Ω
4.7k
Ω
●
UN211M EI 2.2k
Ω
47k
Ω
●
UN211N EW 4.7k
Ω
47k
Ω
●
UN211T EY 22k
Ω
47k
Ω
●
UN211V FC 2.2k
Ω
2.2k
Ω
●
UN211Z FE 4.7k
Ω
22k
Ω
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
1:根基
2:发射级 eiaj:sc-59
3:集电级 迷你 类型 包装
单位: mm
内部的 连接
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
–50 V
集电级 至 发射级 电压
V
CEO
–50 V
集电级 电流 I
C
–100 毫安
总的 电源 消耗 P
T
200 mW
接合面 温度 T
j
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15 0.65
±
0.15
3
1
2
0.950.95
1.9
±
0.2
0.4
+0.1
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±
0.2
0 至 0.1
0.16
+0.1
–0.06
1.45
0.1 至 0.3
2.9
+0.2
–0.05
B
C
R1
R2
E
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