首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:683181
 
资料名称:V53C8126H45
 
文件大小: 209.89K
   
说明
 
介绍:
ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8 BIT FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号V53C8126H45的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号V53C8126H45的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号V53C8126H45的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号V53C8126H45的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号V53C8126H45的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号V53C8126H45的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号V53C8126H45的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号V53C8126H45的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
V53C8126H
v53c8126h rev. 1.1 july 1997
mosel vitelic
高 效能 35 40 45 50
最大值
RAS
进入 时间, (t
RAC
) 35 ns 40 ns 45 ns 50 ns
最大值 column 地址 进入 时间, (t
CAA
) 18 ns 20 ns 22 ns 24 ns
最小值 快 页 模式 循环 时间, (t
PC
) 21 ns 23 ns 25 ns 28 ns
最小值 读/写 循环 时间, (t
RC
) 70 ns 75 ns 80 ns 90 ns
初步的
V53C8126H
过激-高 效能,
128k x 8 位 快 页 模式
cmos 动态 内存
特性
128k x 8-位 organization
RAS
进入 时间: 35, 40, 45, 50 ns
快 页 模式 支持 sustained i/o 数据
比率 向上 至 40 mhz
读-modify-写,
RAS
-仅有的 refresh,
CAS
-在之前-
RAS
refresh 能力
refresh 间隔
v53c8126h – 512 循环/8 ms
有 在 26/24 管脚 300 mil soj 和 28 管脚
tsop 包装
描述
这 v53c8126h 是 一个 高 速 131,072 x 8 位
cmos 动态 随机的 进入 记忆. 这
v53c8126h 提供 一个 结合体 的 特性: 快
页 模式 为 高 数据 带宽, 快 usable
速, cmos 备用物品 电流.
所有 输入 和 输出 是 ttl 兼容. 输入
准许 增加 系统 效能. 快 页
模式 运作 准许 随机的 进入 的 向上 至 256
columns (x8) 位 在里面 一个 行 和 循环 时间 作
短的 作 21 ns. 因为 的 静态的 电路系统, 这
CAS
时钟 是 不 在 这 核心的 定时 path. 这 流动-
通过 column 地址 latches 准许 地址
pipelining 当 relaxing 许多 核心的 系统 定时
(所需的)东西 为 快 usable 速. 这些 特性
制造 这 v53c8126h ideally suited 为 graphics,
数字的 信号 处理 和 高 效能
peripherals.
设备 用法 chart
运行 包装 外形 进入 时间 (ns) 电源
温度 温度
范围 K T 35 40 45 50 标准. Mark
0
°
c 至 70
°
C
••••
Blank
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com