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资料编号:683217
 
资料名称:V53C8128H45
 
文件大小: 222.61K
   
说明
 
介绍:
ULTRA-HIGH PERFORMANCE, 128K X 8 BIT EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
 
 


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mosel-vitelic
V53C8128H
v53c8128h rev. 1.1 十一月 1997
高 效能 35 40 45 50
最大值
RAS
进入 时间, (t
RAC
) 35 ns 40 ns 45 ns 50 ns
最大值 column 地址 进入 时间, (t
CAA
) 18 ns 20 ns 22 ns 24 ns
最小值 快 页 模式 和 edo 循环 时间, (t
PC
) 14 ns 15 ns 17 ns 19 ns
最小值 读/写 循环 时间, (t
RC
) 70 ns 75 ns 80 ns 90 ns
初步的
V53C8128H
过激-高 效能,
128k x 8 位 edo 页 模式
cmos 动态 内存
设备 用法 chart
运行 包装 外形 进入 时间 (ns) 电源
温度 温度
范围 K 35 40 45 50 标准. Mark
0
°
c 至 70
°
C
• • •
Blank
特性
128k x 8-位 organization
RAS
进入 时间: 35, 40, 45, 50 ns
edo 页 模式 支持 sustained i/o 数据
比率 向上 至 71.5 mhz
低 电源 消耗
v53c8128h-50
— 运行 电流 – 135 毫安 最大值
— ttl 备用物品 电流 – 2.0 毫安 最大值
低 cmos 备用物品 电流
v53c8128h – 1.0 毫安 最大值
读-modify-写,
RAS
-仅有的 refresh,
CAS
-在之前-
RAS
refresh 能力
refresh 间隔
v53c8128h – 512 循环/8 ms
有 在 26/24 管脚 300 mil soj 包装
描述
这 v53c8128h 是 一个 高 速 131,072 x 8 位
cmos 动态 随机的 进入 记忆. 这
v53c8128h 提供 一个 结合体 的 特性: edo
页 模式 为 高 数据 带宽, 快 usable
速, cmos 备用物品 电流.
和 输出 capacitances 是 significantly lowered 至
准许 增加 系统 效能. 页 模式
和 扩展 数据 输出 运作 准许 随机的
进入 的 向上 至 256 columns (x8) 位 在里面 一个 行
和 循环 时间 作 短的 作 14 ns. 因为 的 静态的
电路系统, 这
CAS
时钟 是 不 在 这 核心的 定时
path. 这 流动-通过 column 地址 latches
准许 地址 pipelining 当 relaxing 许多 核心的
系统 定时 (所需的)东西 为 快 usable 速.
这些 特性 制造 这 v53c8128h ideally suited
为 graphics, 数字的 信号 处理 和 高
效能 peripherals.
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