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资料编号:683271
 
资料名称:V53C818H30
 
文件大小: 231.95K
   
说明
 
介绍:
HIGH PERFORMANCE 512K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mosel vitelic
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V53C818H
高 效能
512k x 16 edo 页 模式
cmos 动态 内存
初步的
v53c818h rev. 1.2 将 1997
高 效能 30 35 40 45 50
最大值 ras
进入 时间, (t
RAC
) 30 ns 35 ns 40 ns 45 ns 50 ns
最大值 column 地址 进入 时间, (t
CAA
) 16 ns 18 ns 20 ns 22 ns 24 ns
最小值 扩展 数据 输出 模式 循环 时间, (t
PC
) 12 ns 14 ns 15 ns 17 ns 19 ns
最小值 读/写 循环 时间, (t
RC
) 65 ns 70 ns 75 ns 80 ns 90 ns
特性
512k x 16-位 organization
edo 页 模式 为 一个 sustained 数据 比率 的
83 mhz
RAS
进入 时间: 30, 35, 40, 45, 50 ns
双 cas 输入
管脚-至-管脚 兼容 和 256k x 16
低 电源 消耗
读-modify-写, ras
-仅有的 refresh,
cas-在之前-ras refresh
refresh 间隔: 512 循环/8 ms
有 在 40-管脚 400 mil soj 和 40/44l-管脚
400 mil tsop-ii 包装
单独的 +5v
±
10% 电源 供应
ttl 接口
描述
这 v53c818h 是 一个 524,288 x 16 位 高-
效能 cmos 动态 随机的 进入
记忆. 这 v53c818h 提供 页 模式
运作 和 扩展 数据 输出. 一个 地址,
CAS
和 ras 输入 capacitances 是 减少 至
一个 half 当 这 256k x 16 dram 是 使用 至
construct 这 一样 记忆 密度. 这
v53c818h 有 asymmetric 地址, 10-位 行 和
9-位 column.
所有 输入 是 ttl 兼容. edo 页 模式
在里面 一个 页, 和 循环 时间 作 短的 作 15ns.
这 v53c818h 是 ideally suited 为 graphics,
数字的 信号 处理 和 高 效能
peripherals.
设备 用法 chart
运行
温度
范围
包装 外形 进入 时间 (ns) 电源
温度
Mark
K T 30 35 40 45 50 标准.
0
°
c 至 70
°
C ••••• Blank
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