半导体 组件 industries, llc, 2004
july, 2004 − rev. 3
1
发行 顺序 号码:
bzx84c2v4et1/d
bzx84c2v4et1 序列
齐纳 电压 regulators
225 mw sot−23 表面 挂载
这个 序列 的 齐纳 二极管 是 offered 在 这 便利的, 表面
挂载塑料 sot−23 包装. 这些 设备 是 设计 至 提供
电压 规章制度 和 最小 空间 必要条件. 它们 是 好
suited 为 产品 此类 作 cellular phones, hand 使保持 portables,
和 高 密度 pc boards.
规格 特性
•
225 mw 比率 在 fr−4 或者 fr−5 板
•
齐纳 损坏 电压 范围 − 2.4 v 至 75 v
•
包装 设计 为 最优的 automated 板 组装
•
小 包装 大小 为 高 密度 产品
•
静电释放 比率 的 类 3 (>16 kv) 每 人 身体 模型
•
顶峰 电源 − 225 w (8
X
20
s)
•
pb−free 包装 是 有
机械的 特性
情况:
void-自由, 转移-模塑的, thermosetting 塑料 情况
完成:
corrosion resistant 完成, 容易地 solderable
最大 情况 温度 为 焊接 目的:
260
°
c 为 10 秒
极性:
cathode 表明 用 极性 带宽
flammability 比率:
ul 94 v−0
最大 比率
比率 标识 最大值 单位
顶峰 电源 消耗 @ 20
s (便条 1)
@ t
L
≤
25
°
C
P
pk
225 Watts
总的 电源 消耗 在 fr−5 板,
(便条 2) @ t
一个
= 25
°
C
derated 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
Junction−to−Ambient
R
JA
556
°
c/w
总的 电源 消耗 在 alumina
基质, (便条 3) @ t
一个
= 25
°
C
derated 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
Junction−to−Ambient
R
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−65 至
+150
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
1. nonrepetitive 电流 脉冲波 每 图示 9.
2. fr−5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 在.
3. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 在, 99.5% alumina.
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
SOT−23
情况 318
样式 8
3
Cathode
1
Anode
BZX84CxxxET1 SOT−23 3000/录音带 &放大; 卷轴
标记 图解
xxx = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
xxxM
BZX84CxxxET3 SOT−23 10,000/录音带 &放大; 卷轴
3
1
2
http://onsemi.com
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
看 明确的 标记 信息 在 这 设备 标记
column 的 这 电的 特性 表格 在 页 2 的
这个 数据 薄板.
设备 标记 信息
BZX84CxxxET1G SOT−23
(pb−free)
3000/录音带 &放大; 卷轴
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