leshan 无线电 公司, 有限公司.
j2–1/5
半导体
技术的 数据
BZX84C2V4LT1
序列
225mW
sot-23
1
3
2
情况 318–07, style8
sot– 23 (to–236ab)
塑料
3
Cathode
1
Anode
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr-5 board* P
D
225 mW
T
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c 1.8 mw/°c
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
QJA
556 °c/w
总的 设备 消耗 P
D
300 mW
alumina 基质,** t
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c 2.4 mw/°c
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
QJA
417 °c/w
接合面 和 存储 temeprature T
J
, t
stg
150 °C
**fr-5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.
**alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 在. 99.5% alumina.
225 mw sot-23
齐纳 电压 调整器 二极管
一般 数据 适用 至 所有
序列 在 这个 组
齐纳 电压
调整器 二极管
最大 情况 温度 为 焊接
目的:
260°c 为 10 秒
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