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资料编号:695824
 
资料名称:VNP35NV04
 
文件大小: 412.16K
   
说明
 
介绍:
“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
 
 


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®
july 2003 1/19
vnb35nv04 / vnp35nv04
/vnv35nv04 / vnw35nv04
“omnifet ii”:
全部地 autoprotected 电源 场效应晶体管
(*) 为 powerso-10 仅有的
n
直线的 电流 限制
n
热的 shut 向下
n
短的 电路 保护
n
整体的 clamp
n
低 电流 描绘 从 输入 管脚
n
diagnostic 反馈 通过 输入
管脚
n
直接 进入 至 这 门 的 这
电源 场效应晶体管 (相似物 驱动)
n
兼容 和 标准 电源
场效应晶体管
描述
这 vnb35nv04, vnp35nv04, vnv35nv04,
vnw35nv04 是 大而单一的 设备 设计 在
意法半导体 vipower m0-3 技术,
将 为 替换 的 标准 电源
mosfets 从 直流 向上 至 25khz 产品.
建造 在 热的 关闭, 直线的 电流 限制
和 超(电)压 clamp 保护 这 碎片 在 harsh
环境. 故障 反馈 能 是 发现 用
monitoring 这 电压 在 这 输入 管脚.
类型 R
ds(在)
I
lim
V
clamp
VNB35NV04
VNP35NV04
VNV35NV04
VNW35NV04
10 m
(*) 30 一个 40 v
块 图解
超(电)压
直线的
Clamp
1
2
3
电流
Limiter
控制
温度
输入
FC01000
D
2
PA K
powerso-10
至-220
1
10
1
2
3
1
3
顺序 代号:
D
2
PAK
VNB35NV04
至-220 VNP35NV04
powerso-10
VNV35NV04
至-247 VNW35NV04
1
2
3
至-247
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